2010年Q2的半导体生产线整体开工率达95.6%

来源:日经BP社 作者:—— 时间:2010-08-20 10:29

半导体 芯片

日前,国际半导体产能统计(SICAS)2010年第二季度(4~6月)的半导体产能公布。虽然部分半导体厂商已经开始了增产投资,但因老生产线废弃,晶圆处理能力未能大幅提高。在这种情况下,由于晶圆投入量增加,半导体的整体开工率达到了可以说是满负荷的95%以上。一部分甚至超过了98%,呈 “超满负荷运转”状态。

晶圆处理能力方面,半导体整体为同比(YoY)减少0.2%,环比(QoQ)增长0.6%,MOS IC整体为同比增长0.1%,环比增长0.6%,继续持平。旨在从0.12~0.06μm生产线向0.06μm以下生产线过渡的细微化投资十分活跃,但是为扩大晶圆处理能力的增产投资却稍显逊色:其冲抵了老生产线废弃导致的晶圆处理能力下降。增产投资的实施,从半导体厂商的企业形态看,主要是硅代工厂商,从晶圆直径来看,主要面向300mm晶圆进行。而在硅代工厂商之外的垂直整合型半导体厂商(IDM)因进行重组,废弃了200mm以下的量产线。

晶圆的实际投入量方面,除部分特例外,均持续了YoY增20~30%、QoQ增近10%的增长率。其中,从半导体厂商的企业形态来看,硅代工厂商的增长率比较显著,而从工艺技术来看,60nm以下工艺的增长率较为显著。硅代工厂商的投入量为YoY增67.8%,QoQ增10.6%,达到40万2200 片/周(以200mm晶圆换算,下同)。60nm以下工艺晶圆的投入量为QoQ增13.0%,达到78万500片/周。

综上所述,半导体整体的量产线开工率为YoY增18.6个百分点,QoQ增2.1个百分点,达到95.6%,MOS IC整体为YoY增17.1个百分点,QoQ增长2.5个百分点,达到95.7%,均超过了95%。尤其是需求量较大的80nm以下工艺、300mm晶圆以及硅代工厂商的开工率更是达到了超过98%的“超满负荷运转”状态。

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