中国发明新晶体管 提高芯片制造话语权
来源:华强电子网 作者:—— 时间:2013-08-20 09:29
近日,在美国《科学》杂志刊登一个报告中,中国研究人员在成电路的基本单元晶体管研究上取得突破,发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件,可让数据擦写更容易、迅速。据了解,这项发明将有助于我国掌握集成电路的核心技术,让中国的芯片设计和制造能力在国际上去的更多的话语权。
负责该项目的复旦大学教授王鹏飞说:“国集成电路产业主要依靠引进和吸收国外成熟的技术,在微电子核心器件及集成工艺上缺乏核心技术。半浮栅晶体管的成功研制将有助我国掌握集成电路的核心技术,从而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。”
根据王鹏飞教授介绍,金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中的主流器件,过去几年的工艺进步,让晶体管的尺寸不断的缩小,越来越接近物理极限,这样才迫切需求并催生出新的结构和原理的晶体管,半浮栅晶体管是在MOSFET晶体管中内嵌一个广泛用于低功耗电路的装置——隧穿场效应晶体管(TFET)制成。它的优势在于体积可更小,结构更简单,读写速度更快,且一片这样的晶体管的功效可比得上多块MOSFET晶体管。
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