瑞萨与台积合作开发车用MCU
瑞萨电子与台积(TSMC)近日共同宣布,双方合作开发28奈米嵌入式快闪记忆体(eFlash)製程技术,以生产支援新世代环保汽车与自动驾驶车的微控制器(MCU)。採用此全新28奈米製程技术生产的车用MCU,预计于2017年提供样品,2020年开始量产。
瑞萨与台积,自90奈米技术世代,开始便密切合作开发内建快闪记忆体的MCU产品。为了使未来的环保汽车与自动驾驶车,更具节能效益且更可靠,双方在合作40奈米MCU平台与生产四年之后,扩大合作至28奈米MCU的开发。
透过此次合作,瑞萨具备高可靠性及高速优势的金属氧化氮氧化硅(MONOS)eFlash技术,将结合台积高效能、低功耗的28奈米高介电层金属闸製程技术,生产全球顶尖的车用MCU产品,以支援广泛的应用,例如自动驾驶车的感测器控制、电子控制单元(ECU)之间的协调控制、环保汽车的高效率燃油引擎控制、以及电动车的高效率马达变频器控制。
为了满足未来自动驾驶车对于高效能与安全性的严格要求,新世代MCU利用3D雷达监测车辆四周环境,以实现高精度的感测功能,同时可整合多个感测器的资料,并且具备自动驾驶操作时所需的即时判断处理能力。
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