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格芯7纳米FinFET2018年下半年量产

发布:2017/6/14 9:13:00 |作者: --- |来源: 华强电子网

TAG量产  7nm        格芯  

  格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的(7LP)FinFET半导体技术,其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用的需求。设计套件现已就绪,基于7LP技术的第一批客户产品预计于2018年上半年推出,并将于2018年下半年实现量产。

  2016年9月,格芯曾宣布将充分利用其在高性能芯片制造中无可比拟的技术积淀,来研发自己7纳米FinFET技术的计划。由于晶体管和工艺水平的进一步改进,7LP技术的表现远优于最初的性能目标。与先前基于14纳米FinFET技术的产品相比,预计面积将缩小一半,同时处理性能提升超过40%。目前,在格芯位于纽约萨拉托加县的全球领先的Fab 8晶圆厂内,该技术已经做好了为客户设计提供服务的准备。

  格芯CMOS业务部高级副总裁Gregg Bartlett先生表示:“我们的7纳米FinFET技术正在按计划进行开发。我们看到,格芯在2018年计划出厂的多样化产品对客户有着强大吸引力。在推动7纳米芯片于未来一年中实现市场化的同时,格芯正在积极开发下一代5纳米及其后续的技术,以确保我们的客户能够在最前沿领域内获取世界级的技术蓝图。”

  格芯还将持续投资下一代技术节点的研究与开发。通过与合作伙伴IBM和三星的密切合作,2015年格芯便宣布推出7纳米测试芯片。此后,格芯又于近日宣布业内首款基于硅纳米片晶体管的5纳米的样片。目前,格芯正在探索一系列新的晶体管架构,以帮助其客户迈进下一个互联的智能时代。

  格芯的7纳米FinFET技术充分利用了其在14纳米FinFET技术上的批量制造经验,该技术于2016年初2月8日在Fab 8晶圆厂中开始生产。自那时起,格芯已为广泛的客户提供了“一次成功”的设计。

  为了加快7LP的量产进程,格芯正在持续投资最新的工艺设备能力,包括在今年下半年首次购进两个超紫外光(EUV)光刻工具。7LP的初始量产提升将依托传统的光刻方式,当具备批量生产条件时,将迁移至EUV光刻技术。



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