台专家：中国半导体发展模式的探讨

　　中国大陆半导体业发展进程在历经萌芽期、自力更生的初创时期、改革开放前的起步探索时期、改革开放初期的开发引进时期、全面布局的重点建设时期、高速发展期等阶段之后，2014年迄今持续处于黄金发展期，当中2014年6月国务院发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》、国家集成电路大基金，更成为中国半导体业发展最大的转捩点。

　　尔后不论是中国制造2025、中国十三五规划等新世纪发展战略的带动，或是2017年1月工业和资讯化部、国家发改委正式宣布《资讯产业发展指南》，确定集成电路等九大资讯产业将是发展重点，均显示中国大陆官方对于半导体业的支持力道并未减弱，且仍持续进行中。

　　至于在半导体发展模式的选择上，如果参考全球主要供应国的经验，过去美国、日本、韩国、台湾地区皆有所不同，以美国来说，其可称为创新引领的模式，也就是美国从军工时代、PC时代、智慧型手机时代，均以创新的研发技术取得先发者的优势，迄今仍坐稳全球第一大半导体供应国的角色;

　　日本则是消化吸收、自主创新的模式，可谓是1970～1990年家电产业繁荣时最强的半导体后发崛起者;韩国为集中式发展、品牌化超越的模式，主要由大财团或大企业来主导，特别是打造记忆体王国，2017年第二季韩国在全球行动式记亿体、DRAM、NAND Flash的市占率分别高达83.2%、73.5%、45.5%;

　　台湾地区则是走独步全球的专业分工模式，在2017年全球半导体产值排行中，仅次于美国位居第二，超越韩国、日本、欧洲、中国大陆、新加坡，这个国际领先地位与重大成就是台湾地区的骄傲。

　　事实上，中国大陆半导体的发展模式正透过「设计+晶圆代工+封测」和「记忆体」两条线并进的方式进行国产化趋势，前者是学习台湾地区模式从晶圆代工切入，「晶圆代工+封测」形成虚拟IDM，并进一步孵化整合集成设计公司，后者是学习韩国模式从记忆体切入，采用IDM模式，希望未来抓住3D NAND Flash技术升级的机遇。

　　首先，中国大陆半导体遵循的「设计—制造—封装」产业链孵化方式，近年来已有所成效，且随着结构调整效果的浮现，大陆集成电路产业结构正不断优化中，意即产业持续往上游高附加价值的部分来发展，中国大陆集成电路设计占整体集成电路比重从2006年18%上升至2017年上半年的38%;

　　反观半导体封装及测试在中国集成电路产业占比从2006年的51%下降至2017年上半年的36%;至于集成电路制造业2017年上半年占整体集成电路产业比重则为26%的水准;显然中国大陆集成电路设计业、半导体封装及测试业比重一长一消的比重变化趋势仍持续，代表大陆集成电路产业结构正在向技术含量较高的方向发展。

　　至于中国半导体第二条发展路径--学习韩国模式从记忆体切入，虽然2015～2016年布局情况似完整，也就是中国发展记忆体制造业有三大主力，包括以紫光与武汉新芯为首的阵营，将主力发展DRAM、NOR Flash、3D NAND Flash等产品，亦有以利基型DRAM为发展重心的福建晋华，更有专攻DRAM的合肥市政府;

　　但受制于国际大厂布下绵密的专利网，且力阻中国进行海外记忆体厂的购并，在无技术授权来源、人才短缺之下，中国记忆体事业要从0走到1仍显困难，紫光国芯宣布暂停整并长江存储似乎透露端倪，意谓2018年中国即将进入记忆体量产的时程恐有疑虑，未来对岸如何完成最后半导体的一块拼图，各界都相当关注。

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