Value cannot be null. Parameter name: value
Value cannot be null. Parameter name: source

NVMe将推动新一代固态存储器发展

来源:DIGITIMES 作者: 时间:2018-01-12 10:39

NVMe 固态存储器 NVMe-oF

  固态存储器在嵌入式系统的应用逐渐普及,成为推动物联网(IoT)与智能城市一股重要的动力。最新的NVMe与NVMe over Fabrics (NVMe-oF)技术在固态储存系统的应用备受看好。另一方面,DIMM也开始取代DRAM产品被使用在企业储存。

  据富比士(Forbes)报导,各大Flash存储器厂商都在2017年扩大了64层3D NAND存储器的出货量,而128层的3D NAND预计在2020年就可问世。2018年3D NAND将恢复供应量成为市场大宗,但由于市场需求居高不下,2019年以前3D NAND的价格可能都不会回到2016年的水准。

  有分析师预测2017年到2018年间,NAND每TB的价格将可下降20%至30%,SSD将超越智能手机,成为最多消费者接触的NAND Flash产品。

  企业SSD在2017年时取得了150%的出货容量成长。随着NAND Flash价格下滑,企业市场对NAND Flash的需求可望出现显著成长,而NAND Flash也将快速成为大型储存阵列的主要储存手段。

  云端以及数据中心储存的崛起,让NVM Express (NVMe)大为普及。2014年到2016年间,NVMe标准加入了频外管理(out of band management)介面规格NVMe-oF,以便将NVMe引进乙太网络、Fibre Channel、Infiniband等架构。2018年及2019年,NVMe规格还可能延伸到Ethernet TCP/IP网络,让一般IP网络也能与NVMe储存系统整合。

  IDC预估到了2020年,NVMe企业装置营收将可占企业储存装置总营收的20%。如果计入NVMe在客户端及嵌入式装置的使用,比例还会更高。

  除了NVMe以外,以DIMM为基础的NAND Flash存储器汇流排装置,以及其他非挥发性固态储存技术,也将在企业储存市场发挥相当大的影响力。

  新的DIMM产品,包括Flash存储器、英特尔(Intel)、美光所共同研发的3D XPoint存储器,以及其他可变电阻式存储器(ReRAM)等,已在逐渐取代DRAM。慧与科技(HPE)已将DIMM内的非挥发性存储器使用于存储器内运算发展,借此将处理装置往数据移动,而不必再将大量数据移往处理器。

  Seagate已发表了一款以磁阻式随机存取存储器(MRAM)技术为基础的DIMM。2018年预计还会有更多厂商推出非挥发性存储器的DIMM产品。

  2017年英特尔的Optane NVMe SSD并未如预期受到企业市场青睐。2018年或许还可听到更多3D XPoint产品相关消息。

  MRAM芯片容量可望在2018年进一步提升,价格压低后将更有能力与SRAM、DRAM竞争。GlobalFoundries已在许多产品中使用了嵌入式MRAM,三星电子(Samsung Electronics)与东芝(Toshiba)等厂商也宣布将在2018年推出MRAM产品。

  NAND Flash与其他嵌入式非挥发性固态存储器,将在物联网等依赖网络边缘连线的应用扮演重要角色,同时也将成为云端的主要储存手段。



关注电子行业精彩资讯,关注华强资讯官方微信,精华内容抢鲜读,还有机会获赠全年杂志

关注方法:添加好友→搜索“华强微电子”→关注

或微信“扫一扫”二维码

Value cannot be null. Parameter name: source

资讯排行榜

  • 每日排行
  • 每周排行
  • 每月排行
Value cannot be null. Parameter name: value

华强资讯微信号

关注方法:
· 使用微信扫一扫二维码
· 搜索微信号:华强微电子