台积电7nm工艺量产:功耗降低65%,未来5nm再降20%功耗

来源:超能网 作者:--- 时间:2018-05-03 10:18

台积电 7nm 量产

  英特尔在14nm、10nm工艺上的难产给了其他半导体公司赶超的机会,由于2019年之前都无法推出10nm芯片,而三星、台积电的7nm工艺今年就会量产了,这一轮竞争中英特尔真的输了,哪怕官方多次宣布自家的10nm工艺在性能、晶体管密度上比其他家的7nm节点还好也没用了。在7nm节点,台积电已经是雄心勃勃,除了AMD官方提到的7nm Vega芯片之外,台积电还手握50多个7nm芯片流片,新工艺性能可提升35%或者功耗降低65%,未来升级到5nm之后性能还能再提升15%,功耗降低20%。

  EEtimes今天报道了台积电的工艺路线图,官方公布了7nm及未来的5nm工艺细节,首先是第一代7nm工艺,今年将会量产,后面还有50多个芯片陆续流片,涉及到CPU、GPU、AI芯片、加密货币芯片、网络、游戏、5G、自动驾驶芯片等等行业。

  7nm工艺的性能将提升35%,或者功耗降低65%,芯片密度达到3倍水平——原文这里没提到是跟谁对比,不过不可能是10nm,台积电官网上跟10nm工艺对比的结果是性能提升20%或者功耗降低40%,芯片密度1.6倍,因此这里对比的很可能是台积电的16nm工艺。

  第一代7nm工艺没有使用EUV光刻工艺,N7+节点才会用上EUV光刻机,不过这个是制造过程的改变,N7+工艺的性能没什么变化,晶体管密度提升大概20%,功耗降低10%。

  此外,N7+工艺虽然目前的良率不错,但是还有一些关键单元要到今年底或者明年初才能搞定,完整用于N7+工艺的EDA工具大概要等到8月份。

  7nm之后台积电今年还要风险试产5nm工艺,与最初7nm工艺相比,台积电的5nm工艺大概能再降低20%的能耗,晶体管密度再高1.8倍,至于性能,预计能提升15%,不过使用新设备的话可能会提升25%。

  按照之前的规划,台积电的5nm工艺预计会在2020年量产,那时候英特尔顺利的话可能会进入7nm节点了。



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