DRAM大厂火速进军1znm 用EUV排挤低位玩家

来源:华强电子网 作者:Simon 时间:2019-06-20 17:46

dram 1znm EUV

  6月20日,据DIGITIMES报道,由于2019年上半年DRAM价格下跌面临沉重压力,虽然目前由于产能调节及正处于市场旺季,致使DRAM需求有所提升,但为了能够提升生产效益及拉开竞争差距,众多DRAM大厂已经开始竞相研制下一代工艺制程。

  由于半导体制程的越来越精细,摩尔定律已经开始受到严重冲击,同时越小的制程其所面临的物理制约将越大,制作也将更加困难。而EUV(极紫外光刻)是一种可以波长为10~14nm的极紫外光作为光源的光刻技术,而荷兰ASML公司所产的EUV光刻机便是其中的代表,不过其售价通常高达1亿美元以上。

  三星电子已经率先宣布将在今年11月份采用EUV技术制作1znm的DRAM,同时美光、SK海力士都已经在考虑评估EUV设备的需求。由于EUV光刻机高昂的售价,如果这些厂商开始采用EUV技术将DRAM推入1znm制程,那么将极大提升该领域的准入门槛。

  不过这种选择显然也是无奈之举,如今随着DRAM市场价格不断走低,即使厂商已经通过缩减产量来减少DRAM的供应,但仍然无法有效制止价格继续下滑。有供应链从业者透露,今年第二季度DRAM颗粒报价已经逼近制造原厂的成本边缘,中小型厂商获利将更为困难,因此选择继续缩小制程来达到节省成本及获取利润将成为厂商目前的最佳选择。

  1znm级工艺属于第三代10nm级工艺,但这不代表10nm工艺制程。目前10nm级工艺主要被分为1xnm、1ynm、1znm等,这是由于DRAM在提升小于20nm的制程变得非常困难,因此DRAM内存工艺的线宽指标不再那么精确,而1znm代表工艺制程大概在12~14nm,后续还有1αnm、1βnm等。

  目前在DRAM领域中保持优势的三星表示,其1znm DRAM即使在不使用EUV设备的情况下,仍然可以比如今的1ynm DRAM的产能提升20%,同时在速度及功耗上都有所提升,因此在今年9月份便会正式启动1znm DRAM的量产进度。

  不过三星也在近期表示,在11月份采用EUV设备制作的1znm DRAM初期将与韩国华城17产线与晶圆代工厂共用EUV光刻机,随后平泽工厂也将启动EUV DRAM的量产,这将表示三星DRAM工艺将正式引入EUV技术。

  除三星以外,SK海力士也在韩国利川县的DRAM工厂中研发在DRAM中采用EUV技术进行生产。有业内人士预估,SK海力士在2019年所有DRAM产品中,将有超过半数属于10nm级DRAM。

  而美光也在今年上半年宣布将把DRAM技术推向1znm制程。但此前美光曾表示即使到了1αnm及1βnm工艺节点上,也没有必要使用EUV技术,不过如今态度发生大转变,或许由于目前DRAM市场下行,必须藉由提高性能与降低单位成本来巩固产业竞争力。

  不过随着众多DRAM大厂陆续进军1znm制程,也将对中国DRAM产业造成一定影响。目前中国DRAM生产厂商的代表为合肥长鑫及福建晋华,以合肥长鑫为例,该公司计划在2021年完成对17nm工艺技术的研发,即国产1xnm工艺将在2021年完成,这与国际主流DRAM厂商相比还有5年左右的差距。

  但目前由于EUV设备非常昂贵,并且EUV光刻机技术目前只掌握在荷兰ASML公司手中,即使资金充足也无法立即买到,目前只有中芯国际、华虹等少数厂商能够买到,因此未来还需看我国自己的光刻机技术能够跟上才行。不过由于目前三星已经开始推进1znm工艺制程,后续进入1αnm制程将更加困难,或许将很难维持一年一个工艺制程的进度,而这也将是国内厂商缩小差距的时机。



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