大摩预警：DDR4三季度再涨50%！

8月19日，摩根士丹利发布最新存储行业预测：2026年第三季度，DDR4等成熟制程DRAM价格将上涨约50%，第四季度再涨10%；SLC NAND涨价更为激进，今年剩余两个季度每个季度涨幅都将超过50%，部分产品涨势可能延续至2027年第一季度。

存储涨价潮从去年延续至今，市场目光大多聚焦HBM、DDR5等高端品类，这次预警的主角却是"被冷落"的成熟制程——在AI需求虹吸产能的背景下，成熟内存反而成为涨幅最猛的板块。

HBM是"产能黑洞"

大摩将成熟制程供应紧张归结为产能转移：存储器制造商正持续将产能转向HBM、DDR5和更高层数的NAND闪存，DDR4、SLC NAND和NOR Flash的新增供应非常有限。

关键原因在于HBM对晶圆产能的消耗远超普通内存。一颗HBM芯片消耗的硅晶圆数量大约是传统DRAM的三倍：垂直堆叠结构本身需要更多晶圆，且每颗裸片内置成千上万个硅通孔（TSV）以及相应的禁布区，大幅压缩有效存储阵列面积。

需求端，AI对HBM的胃口还在放大。瑞银预测，到2027年，仅英伟达一家就将消耗约251亿GB的HBM，整个行业需求总量约为615亿GB。

供给收缩× 需求扩散

成熟制程的紧张源于"双向挤压"。

供给端，晶圆厂加速退出DDR4等成熟产能，新增供应几乎停滞。需求端，DDR4的应用范围正从传统服务器拓宽至消费电子等领域——供给收缩与需求扩散形成错配。

现货市场已给出信号。美国银行数据显示，8月DDR5-5600/6400 24GB现货价格环比上涨8%，同比涨幅高达483%。市场数据亦显示，24GB DDR5芯片现货价已从去年年中的约8美元一路涨至约47美元。

没有长约，反而吃满涨价红利

一个容易被忽略的细节是：成熟内存的长期合同较少。大摩指出，这实际上给了供应商短期更大的定价权——没有长协价格锁定，存储厂商可以完全享受现货价格上涨的红利，部分成熟产品的涨价收益甚至可能超过有长期协议锁价的DDR5。

"被遗忘"的成熟制程成为涨价主角。当产能集中涌向HBM和DDR5时，DDR4、SLC NAND这类存量品类因供给刚性收缩而价格弹性放大，涨幅反而超过热门新品。涨价逻辑正从"AI专用"蔓延到"存量替代"。

涨价周期或延续至2027年一季度。大摩预计SLC NAND部分产品涨势可能延续至2027年第一季度，成熟制程的紧张局面短期难以缓解。

终端传导压力加大。成熟内存广泛应用于消费电子、家电、工控等长尾市场，此轮涨价将直接推高这些终端品类的成本。

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