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ALD技术在未来半导体制造技术中的应用
由于低温沉积、薄膜纯度以及绝佳覆盖率等固有优点，ALD（原子层淀积）技术早从21世纪初即开始应用于半导体加工制造。DRAM电容的高k介电质沉积率先采用此技术，但近来ALD在其它半导体工艺领域也已发展出愈来愈广泛的应用。高k闸极介电质及金属闸极的
2013-11-27 10:15 -
迈入FinFET需解决多方位ALD技术难题
半导体产业正在转换到3D结构，进而导致关键薄膜层对高速原子层沉积(ALD)的需求日益升高。过去在平面元件中虽可使用几个PVD与CVD步骤，但就闸极堆叠的观点而言，过渡到FinFET元件将需要全方位的ALD解决方案。就FinFET而言，以其尺寸及
2012-11-21 08:49