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  • 因车用积层陶瓷电容( MLCC )需求急速扩大,也带动相关材料需求急增

    日刊工业新闻22日报导,因车用积层陶瓷电容(MLCC)需求急速扩大,也带动相关材料需求急增,因此三井化学(MitsuiChemicals)旗下子公司「三井化学Tohcello」计划兴建MLCC用离型膜新工厂,预估最快将在2019年度动工,加总其

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    2018-10-23 14:11
  • 操纵电容器价格,9家日本电子公司被韩国罚款360亿韩元

    这两年来被动电子元件因为供需失衡而涨价,比如MLCC电容,由于龙头企业日本村田制作所调整产能致使MLCC电容大幅涨价,其他日本、台湾及韩国等地的电子公司也应声而涨,按现在的情况来看今年底乃至明年的产能都很紧张,一时间价格是不可能降的。这一轮电子

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    2018-09-18 11:08
  • 被动元件缺料涨价失控 部分代工厂商或面临倒闭危机

    被动元器件自去年以来一直在涨价,截止目前涨价势头未见缓和。尤其是今年铝电解电容的材料价格的上涨,以及环保政策使得原材料生产供应减少,不少代工厂甚至面临断料危机,灾情惨烈。受此影响,被动元件厂商供货愈发紧俏,部分产品供应开始倾向部分客户。据供应链

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    2018-05-16 09:49
  • 中国年耗数以万亿计电容电阻,高端产品均来自日本

    一部手机有几百个电容和几百个电阻,占了电子元件的大半。中国是最大的基础电子元件市场,一年消耗的电阻和电容,数以万亿计。而最好的消费级电容和电阻,来自日本。村田制作生产的“积层陶瓷电容器”(最右侧)。东方IC资料大批量一致性比不了日本电容和电阻,

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    2018-05-14 09:30
  • 揭露DRAM和电容炒货内幕,三星兜底策略纵容涨价

    2017年内存、电容双双缺货涨价,其中内存每季度涨价超20%,电容普遍涨价4-5倍。据集微网获悉,缺货涨价固然有产能不足的因素,但原厂联合渠道商炒货,是其中更为重要的潜在影响因素。(DRAM)内存原厂出货量由三星电子一家独大,占据了近5成的市场

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    2018-01-02 09:27
  • MLCC缺货到明年年底,三大原因曝光

    MLCC持续供不应求,预期部分品项缺货可能延续到明年底。MLCC缺货主要是日系大厂释出产能、供给结构变化、以及市场需求增加三大原因,台厂持续扩产因应。观察全球积层陶瓷电容器(MLCC)产业版图,主要大厂包括日本村田制作所(Murata)、南韩大

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    2017-11-13 09:29
  • 艾迈斯智能电容式传感前端实现速度、分辨率及功率优化

    全球领先的高性能传感器解决方案供应商艾迈斯半导体公司(amsAG)今日推出新品PCap04,一款可配置的电容式传感前端,使传感器制造商能够平衡速度和分辨率以匹配他们的设计需求。优化速度时,PCap04可以捕获每秒高达50,000次的传感器测量值

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    2017-11-08 10:14
  • 中国被动器件崛起-电容电阻篇

    最新消息,被动元件产业产值达217亿美元,其中电容器占66%,约为144亿美元。电阻Resistor大约20亿美元,电感Inductor约30亿美元,磁性MagneticComponent元件约12亿美元。据行业统计,我国具有一定规模的电容器厂

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    2016-10-11 19:25
  • 除了黑科技,高交会上还有这些“白菜价”的产品

    北方早已入冬,而此时的深圳依然是艳阳高照,在这个略显燥热的“冬天”,第十七届高交会在深圳拉开了序幕,有来自全球各地的3000多家科技企业参展。毋庸置疑,无人机、机器人和可穿戴设备等再次成为最火爆的展区。不过咱也不能忽视处于产业上游的电子元器件厂

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    2015-11-17 09:56
  • 村田推出新陶瓷ESD防护器件 性能提升20%防静电伤害

    电子产品的安全性能至关重要,消费者对此也是分外关心。日前,村田制作所(以下简称村田)推出了其最新研发的陶瓷ESD防护器件。该产品在性能上比上一代产品提高了20%,大大减少了静电带来的损害。村田的陶瓷ESD防护器件产品村田陶瓷ESD防护器件技术新

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    2015-05-12 11:15
  • TDK推出新的高容积比爱普科斯(EPCOS)薄膜电容器

    TDK公司的爱普科斯(EPCOS)高容积比金属化聚丙烯薄膜电容(B32774*到B32778*)新增加2种电压等级575Vdc和900Vdc。新增电压后,全系列的额定电压有:450VDC、575VDC(新)、800VDC、900VDC(新)、1

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    2013-11-29 10:10
  • DRAM领域遭遇制程极限 求突破

    根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM记忆体单元(cell)技术所做的详细比较分析发现,虽然已有部分预测指出DRAM记忆体单元将在30奈米制程遭遇微缩极限,但各大DRAM制造商仍将持续朝2x奈米甚至1x奈米节点前进

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    2013-06-13 09:32

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