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  • SK海力士开发完成首颗DDR5-6400内存芯片:2GB容量、电压1.1V

    本周,JEDEC(固态存储协会)正式发布了LPDDR5低功耗内存标准,最高频率设计为6400MHz,比第一代LPDDR4翻番,将为手机、平板、汽车等产品驱动更高性能提供保障。不过,用于PC的DDR5内存(DoubleDataRate5)标准仍旧

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    2019-02-22 16:41
  • JEDEC正式公布LPDDR5标准,速度较LPDDR4翻倍,还支持ECC

    JEDEC固态存储协会正式发布了JESD209-5标准LowPowerDoubleDataRate5即LPDDR5的标准,LPDDR5将以6400MT/s的速率运行,比第一版LPDDR4翻了一倍,这将明显提升各种应用场景的内存效率,包括智能手机

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    2019-02-21 15:50
  • 三星「爆雷」宣告芯片超级周期告终,两年来首次盈利下滑

    三星电子两年来首次季度盈利下滑某种程度上正式宣告了为期两年的芯片超级周期的结束。全球最大的芯片和智能型手机制造商三星电子周二称,公司2018年最后三个月的营业利润为10.8兆韩元(合96.5亿美元),年增率下降28.7%,较第第三季17.5兆韩

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    2019-01-09 10:16
  • 明年内存芯片市场低迷 三星计划放缓扩张步伐

    据《韩国先驱报》(KoreaHerald)报道,由于分析师对2019年全球半导体市场的预期比较悲观,全球最大存储芯片供应商三星电子正考虑放缓扩大生产设施的步伐。在上周举行的全球商业战略会议上,三星电子“设备解决方案部门”的主要议程就是:如何应对

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    2018-12-27 15:20
  • 内存价格持续走跌 复杂形势或利好本土企业

    2018下半年以来,价格上涨许久的内存及闪存颗粒价格终于触顶,并急转直下一路走跌。从普通消费者角度看这无疑是重大利好,但对内存厂商来说,价格的持续走跌或将极大影响各家公司今年的整体营收状况。众所周知,全球内存及闪存市场目前几乎由三家公司垄断,即

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    2018-12-27 14:10
  • 随着芯片整合内存的趋势确立,鸿海集团下一步应会朝内存领域发展

    鸿海集团冲刺半导体的企图心强大,夏普将半导体事业分割成立新公司之后,业界认为,随着芯片整合内存的趋势确立,鸿海集团下一步应会朝内存领域发展,结盟旺宏等台湾厂商一起冲刺。鸿海董事长郭台铭很早就体认到内存在未来发展半导体事业的重要性,因此先前一直对

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    2018-12-27 09:56
  • 三星将2020推3nm工艺,通过晶圆代工弥补内存降价的损失

    持续两年多的DRMA内存芯片涨价今年10月份就结束了,遭受涨价之苦的下游厂商及消费者总算可以舒口气了,花旗集团日前给出的预测是明年DRAM内存至少会降价30%。对于DRAM厂商来说,内存降价是他们极不愿意看到的,特别是第一大内存供应商三星,DR

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    2018-12-12 09:31
  • DRAM内存芯片持续了两年多的牛市要转向熊市了

    经过两年多的涨价潮之后,DRAM的风光不再,10月份调研报告显示DRAM内存现货价格跌了10%,4GB及8GB模组的价格都在跌,DRAM内存芯片持续了两年多的牛市要转向熊市了。DRAM内存降价已是必然,内存大厂也纷纷消减明年DRAM产能。不过这

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    2018-12-05 09:19
  • DRAM内存降幅比预期更狠,明年Q1跌幅可达15%

    经过两年多的涨价之后,DRAM内存在今年10月份也就是Q4季度终于降价了,靠着内存涨价而赚了大把利润的三星、SKHynix及美光公司对此显然是不满意的,他们已经削减了2019年的资本支出减少DRAM产能,不过降价的趋势是止不住了,而且降幅可能比

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    2018-11-30 10:34
  • 韩媒:韩国公司已占全球75%内存芯片市场份额

    据韩国媒体报道,到今年第三季度,韩国公司生产的DRAM(内存)芯片已经占到全球市场的75%,其中三星和SK海力士(SKHynix)占据了重要地位。DRAMeXchange发布的数据显示,截至今年9月,韩企在DRAM市场的份额已经达到74.6%,

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    2018-11-21 10:40
  • 产业高点已过,DRAM内存供过于求将持续至2019年底

    根据CINNOResearch对内存供应商及其上下游供应链调查显示,这波历时最久,从2016年第二季开始以来DRAM供不应求、价格上涨的产业大多头荣景,确定要画下句号。虽然第三季财务报告中,三星、海力士和美光这三大DRAM巨头的平均销售单价季增

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    2018-11-12 09:21
  • 存储芯片下行趋势确立,这次有多糟?

    因为英特尔14纳米x86CPU产能短缺,比特币价格下跌造成的中低阶挖矿机需求不振,及新兴市场货币贬值造成的中低阶手机销售不佳,加上3DNAND转到96层及DRAM转到19纳米以下制程工艺的产能增加,等等因素叠加造成明年内存DRAM和闪存NAND

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    2018-11-09 10:07

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