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  • Diodes 100V MOSFET H桥采用5mm x 4.5mm封装 有效节省占位面积

    Diodes公司新推出的100V全H桥DMHC10H170SFJ,把双N通道及P通道MOSFET集成到微型DFN5045封装(5mmx4.5mm)。这种配置可减少元件数量以及节省电路板空间,另外对要求配备多种器件的应用尤为重要,包括一系列工业检

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    2016-02-16 11:17
  • 2015年全球功率半导体市场规模减少7.0%

    日本矢野经济研究所近日调查全球功率半导体市场。调查时间为2015年9月-2016年1月,调查对象为功率半导体厂商、系统厂商等等。调查方法涵盖面谈、电话访谈、邮件沟通,文献调查等等。据统计,2015年全球功率半导体市场规模将达148亿2000万美

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    2016-02-16 10:58
  • 大联大友尚集团推出ST新款高性能功率MOSFET

    大联大控股宣布,其旗下友尚推出STMDmesh?M2系列的新款N-通道功率MOSFET---600VMDmeshM2EP。该系列MOSFET能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费性电子产品电源提供业界最高能效的电源解决方案,在低负载条件下的节

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    2016-01-21 00:00
  • Diodes DFN2020封装P通道MOSFET 降低负载开关损耗

    Diodes公司(DiodesIncorporated)新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDFP通道MOSFET采用了设计小巧的2mmx2mmDFN2020封装,分别提供12V和20V的额定值。新产品适用于追求高效电池管理的平板

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    2015-12-16 10:01
  • Diodes 30V MOSFET使大容量电容器能够 在现场可编程门阵列电源轨上快速及安全放电

    Diodes公司新推出的DMN3027LFG30VN通道MOSFET作为开关使用,确保在现场可编程门阵列(FPGA)电源轨上使用的大型大容量电容器能够快速及安全放电。电信设备、服务器和数据中心内的最新现场可编程门阵列具有多个需要正确排序的电源轨

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    2015-10-26 14:40
  • Diodes全新100V MOSFET优化以太网供电应用

    Diodes新推出的DMN10H120SFGMOSFET作为符合IEEE802.3标准的48V以太网供电(PoE)系统的开关,能够通过以太网线缆向无线接入点、VoIP网络电话、销售点终端、呼叫系统、IP网络监控镜头及楼房管理设备等终端应用供电。

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    2015-10-20 10:07
  • Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin连接来实现更好的性能

    日前Vishay宣布推出采用小尺寸PowerPAK?8x8封装的600VE系列功率MOSFET---SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E。新的VishaySiliconixSiHH26N60E、

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    2015-10-12 10:33
  • 全新英飞凌功率MOSFET系列使电动工具更紧凑耐用

    英飞凌扩展StrongIRFET?PowerMOSFET产品系列,推出同时满足紧凑和耐用要求的解决方案。新推出的逻辑电平StrongIRFET?器件可以直接由单片机驱动,节省空间和降低成本。此外,StrongIRFET?十分坚固耐用,帮助延长电

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    2015-09-02 09:31
  • 安森美半导体进一步加强汽车认证产品阵容

    安森美半导体推出一系列新的符合AEC-Q100标准的集成电路(IC),用于优化下一代汽车设计。NBA3N200/1/6S多点低压差分信号传输(M-LVDS)线性驱动器/接收器系列工作电源3.3V。NBA3N200S和NBA3N201S都支持高达

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    2015-08-05 09:12
  • Diodes优化互补式MOSFET 提升降压转换器功率密度

    Diodes公司(DiodesIncorporated)推出互补式双MOSFET組合DMC1028UFDB,旨在提升直流-直流转换器的功率密度。新产品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到单一DFN2020封装。器件设计针对负载点转换器

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    2015-06-18 09:50
  • Vishay将在PCIM Asia 2015展出最新的业内领先技术

    2015年6月17日—日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,Vishay将在2015上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(PCIMAsia2015,6月24-26日,中国上海)上展出的一系列技术。在上海世博展览馆的4

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    2015-06-17 10:31
  • Vishay推出新款20V N沟道MOSFET,延长便携式应用电池工作时间

    日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新的TrenchFET?20VN沟道MOSFET---Si8410DB,在可穿戴设备、智能手机、平板电脑和固态驱动器中节省空间,降低功耗,并延长电池使用时间。VishaySil

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    2015-03-20 14:45

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