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CEA、Soitec、格芯和意法半导体合力推进下一代 FD-SOI技术发展规划 瞄准汽车、物联网和移动应用

4月21日，CEA、Soitec、格芯(GlobalFoundries)和意法半导体宣布一项新的合作协议，四家公司计划联合制定行业的下一代FD-SOI(全耗尽型绝缘体上硅)技术发展规划。半导体器件和FD-SOI技术创新对法国和欧盟以及全球客户具

格芯宣布推出基于行业领先的22FDX FD-SOI 平台的嵌入式磁性随机存储器

格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22纳米FD-SOI(22FDX)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDXeMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联

中国FD-SOI生态正形成 “换道超车”可期

中国市场会是FD-SOI的主力市场，“我们有幸看到，中国将成为包括半导体在内的电子产业价值链的主要增长地区。为满足各种电子产品的需求，中国正全面采用各类主流半导体技术，包括当今晶圆厂广泛采用的平面bulk技术、FinFET技术及大器晚成的新兴F

“低功耗”成物联网首要需求 FD-SOI工艺“守得云开”

GF 22nm工艺首次赢得中国客户订单

AMD剥离出来的代工厂GlobalFoundries近日迎来好消息，上海复旦微电子已经下单采纳其22nmFD-SOI工艺(22FDX)。这也是GF22nm工艺第一次赢得中国客户的订单。上海复旦微电子集团股份有限公司(曾用名上海复旦微电子股份有限

联发科传将投单GF 22纳米FD-SOI制程 待蔡力行拍板定案

近期联发科传出在上攻10纳米FinFET制程技术失利之后，内部开始评估采用在大陆市场极为火热的FD-SOI制程，联发科为甩开在中、低阶手机芯片市场与展讯激烈缠斗，考虑投单GlobalFoundries最新一代22纳米FD-SOI制程，该计划将待

传联发科将采用FD-SOI工艺生产手机芯片

近期联发科传出在上攻10纳米FinFET制程技术失利之后，内部开始评估采用在大陆市场极为火热的FD-SOI制程，联发科为甩开在中、低阶手机芯片市场与展讯激烈缠斗，考虑投单GlobalFoundries最新一代22纳米FD-SOI制程，该计划将待

格罗方德布局物联网 力推22/12FDX平台

晶圆代工大厂格罗方德(GlobalFoundries)技术长帕顿(GaryPatton)日前说明在2014年买下IBM半导体事业后有关14纳米及7纳米技术发展近况。同时，为与同业建立市场区隔，格罗方德也投入FD-SOI(全耗尽型绝缘层上覆矽)市

FinFET工艺渐成主流 7纳米SoC将在明年完成试验

随着半导体产业持续创新，不断推动技术节点的演进，而与之对应的工艺技术也在现实颠覆。展讯通信营运副总裁陈庆安告诉记者，整个产业的发展必须要保持工艺的持续进步，从传统CMOS(BulkCMOS)发展到现在的FinFET(鳍式场效晶体管)工艺正是体现

SONY GPS芯片采用FD-SOI工艺功耗可降低九成

对半导体制造商和设备供应商来说，智能手机和PC市场饱和，无法带动业绩成长，以往生产功能更强芯片的传统做法，预料也难扭转颓势，如今业界采用新技术，像是全耗尽型绝缘上覆矽(FD-SOI)和3DNAND。华尔街日报报导，半导体业面临的业绩压力已经引发

FD-SOI工艺的春天来了

半导体与电子产业正努力适应工艺节点微缩至28纳米以下之后的闸成本(gatecost)上扬;如下图所示，在工艺微缩同时，每单位面积的逻辑闸或晶体管数量持续增加，其速率高于晶圆片成本增加的速率。在另一方面，当工艺特征尺寸缩减时，芯片系统性与参数性良

FD-SOI技术到底是否可行?

虽然曾在激烈竞争中于关键性技术节点28nm和14nm落后于人，但作为目前全球第二大半导体代工厂，Globalfoundries(格罗方德)毫无疑问在技术方面仍有其独到之处。随着摩尔定律的放缓，业界越来越多的探讨着未来半导体的技术走向。摩尔定律是