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  • 三星V-NAND正式挺进96层 2018资本支出或达64亿美元

    自3DNANDFlash工艺诞生以来,各大存储厂商之间一直进行着堆叠“大战”。近日,三星电子宣布,已经开始批量生产第五代V-NAND3D堆叠闪存,同时拥有超大容量和超高速度,欲打破各厂商3DNAND64层竞争的平衡3DNAND是通过把存储单元堆

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    2018-07-17 16:56
  • 三星宣布量产96层V-NAND,2019年1Tb容量将成主流

    三星终于宣布开始大规模生产其第五代V-NAND存储芯片,声称其堆叠层数超过90层,可能指的是其96层,制造生产率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持ToggleDDR4.0NAND接口,可拥有更高的传输速度。另外,三星新的V-NAND效能

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    2018-07-11 15:38
  • 三星3D V-NAND技术再增强 SSD固态硬盘容量可翻番

    8月12日消息,在美国闪存峰会(FMC)上,三星宣布旗下3DV-NAND技术再获突破,堆叠层数从之前的最多32层发展到了48层,在同样的芯片面积下,容量最多可以增长两倍,而功耗降低了30%。三星的V-NAND技术放弃了传统的浮栅极MOSFET,

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    2015-08-12 10:08
  • 三星2015年内量产48层V NAND 已着手研发64层产品

    三星电子(SamsungElectronics)为与其他尚无法生产VNAND的竞争业者将技术差距拉大到2年以上,并在次世代存储器芯片市场上维持独大地位,计划在2015年内量产堆叠48层Cell的3D垂直结构NANDFlash。据首尔经济报导,三

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    2015-01-16 09:28

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