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Vishay发布首款芯片级P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET：Si8499DB
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICROFOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET——Si8499DB。在1.5×1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET
2010-04-28 09:42