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  • 中科院纳米先导专项创新成果丰硕 5年带动企业投资逾50亿

    中国科学院战略性先导科技专项(A类)“变革性纳米产业制造技术聚焦”(简称“纳米先导专项”)首席科学家、国家纳米科学中心研究员王琛13日表示,经过5年协同努力攻关,纳米先导专项已在动力锂电池、绿色印刷、纳米催化、健康诊疗及饮用水处理等产业领域形成

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    2018-06-14 16:41
  • 打造国际一流平台 中科院将建青岛EDA中心

    近日,青岛市崂山区新旧动能转化重大项目——中科院青岛EDA中心签约仪式在青岛举行,由青岛市崂山区人民政府、中科院微电子所、曙光信息产业股份有限公司共同合作的中科院青岛EDA中心正式落户崂山区。EDA中心是微电子产业发展不可或缺的重要平台之一,主

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    2018-05-03 09:32
  • 中科院研发出高功率密度LED集成光源微槽群诱鱼灯

    近日,中科院工程热物理研究所“璀璨行动”计划成功研发出高功率密度LED集成光源微槽群诱鱼灯、高功率密度微槽群LED散热器及其整灯产品等一系列创新成果。5月26日,广西北海市党委书记王乃学一行到中国科学院工程热物理研究所就中国科学院“璀璨行动”计

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    2017-05-31 10:29
  • 中科院中紫外光刻设备研制成功,国产光刻机有望突破

    近日,一种新型的中紫外直接光刻机由中国科学院光电技术研究所微电子专用设备研发团队在国内研制成功。该设备采用特有的高均匀、高准直中紫外照明技术,结合光敏玻璃材料,实现基于光敏玻璃基底的微细结构直接加工,能够极大简化工艺流程,将有力促进光敏玻璃微细

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    2017-04-14 09:33
  • 厦门欲打造中国南方集成电路中心

    9月20日至21日,2016年中国集成电路产业发展研讨会暨第十九届中国集成电路制造年会在福建省厦门市召开,行业主管部门、国内外业界知名企业、研究机构、产业联盟近600名代表出席会议,把脉中国集成电路产业发展。中国半导体行业协会执行副理事长兼秘书

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    2016-09-22 09:14
  • 厦门欲打造中国南方集成电路中心 2025年产值可达1500亿

    9月20日至21日,2016年中国集成电路产业发展研讨会暨第十九届中国集成电路制造年会在福建省厦门市召开,行业主管部门、国内外业界知名企业、研究机构、产业联盟近600名代表出席会议,把脉中国集成电路产业发展。中国半导体行业协会执行副理事长兼秘书

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    2016-09-21 11:35
  • 中科院研制成功机械外骨骼助力设备

    中科院常州先进制造技术研究所最近发明一款高科技含量的机械外骨骼穿戴设备,目前已进入调试阶段。名为EXOP-1的外骨骼机器人。有腿有脚的“钢铁外衣”,通过电机助力,它有脚、有腿,与人的下半身十分相似,本体全部由航空铝打造,在人体的腰部和腿部分别设

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    2016-01-05 09:20
  • 集成电路跨越发展 高精尖人才最关键

    先后主持或参与17项国家级科技项目,屡次打破发达国家的技术封锁,助推我国在集成电路装备制造领域实现三代跨越式发展。他,就是国家真空仪器装置工程技术研究中心主任雷震霖。高端装备制造业是衡量一个国家产业核心竞争力最重要的标志,而其中的集成电路产业则

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    2015-05-06 14:39
  • 中科院研制可升级光电传感器的新型材料

    目前,构建一维的具有异质结结构的材料是光电探测和气敏检测领域的研究热点。具有两种组分的核壳纳米线是构造光电探测器和气敏传感器的理想材料,CdS和ZnO两种材料分别在光电探测和气敏检测方面具有优异的性能,研究这两种材料构建的异质结和光电增强机理,

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    2014-06-20 09:30
  • 武汉新芯与中科院微电子研究所签署22nm IP授权协议

    武汉新芯集成电路制造有限公司(XMC),一家国内领先的12寸晶圆制造公司今日宣布,已经与中国科学院微电子研究所、清华大学、复旦大学、上海微系统所签署了一项IP联合授权协议。根据该协议,武汉新芯将获得这四家研发机构广泛而全面的多项专利授权。此次中

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    2013-09-13 09:58
  • 中科院1G位独立式NOR型闪存芯片取得突破

    日前,中科院微电子所联合清华大学、北京大学在1G位独立式NOR型闪存芯片研究上取得突破。移动通讯等信息技术的迅猛发展加剧了对海量信息高速存取的需求。然而,大容量高速闪存芯片设计技术一直是我国存储芯片设计面临的主要技术瓶颈,我国存储企业依赖国外技

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    2013-01-24 13:51
  • 中科院取得22纳米CMOS关键技术的突破性进展

    近日,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展,在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进的高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs,器件性能良好,达到国内领先、世界一流水平。22纳米

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    2012-12-28 09:32

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