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EUV 光刻机耗能巨大，3 年后台积电将吃掉中国台湾 12% 电力
8月26日消息，据彭博社报道，ASML新一代EUV光刻机每台耗电约1百万瓦，约为前几代设备的10倍，依赖该设备生产芯片的三星、台积电等芯片制造大厂能源消耗巨大，芯片行业可能成为减少全球碳排放的重要绊脚石。报道称，台积电拥有业界最多的80台EUV
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韩国本土开发首款EUV光刻胶通过三星可靠性测试
12月21日消息，韩国光刻胶供应商东进世美肯(DongjinSemichem)表示，近日通过了三星电子的EUV光刻胶可靠性测试（合格）。这款光刻胶为双方合作研发，打破韩国EUV光刻胶完全依赖海外供应商的局面，最快有望明年上半年向产线批量供应。据
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荷兰巨头ASML将推出比EUV还先进的更新型光刻机
12月15日，报道称，全球最先进的光刻机厂商荷兰AMSL公司正在开发一种新版本的EUV光刻机，将成为世界上最先进的芯片制造设备。这种更新型的光刻机被称为HighNA（高数值孔径）。据称，第一台高NA机器仍在开发中，预计从2023年开始提供先行体
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三星宣布量产14纳米EUV DDR5 DRAM
10月12日消息，据外媒报道，全球最大存储芯片制造商三星电子周二宣布，该公司开始使用极紫外光刻（EUV）技术批量生产业界最小的14纳米DRAM芯片，这有助于其巩固在存储行业的领导地位。继去年3月出货业界首款EUVDRAM之后，三星电子已将EUV
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EUV供应链全线飘红？
今天，据彭博社报导，日本极紫外光(EUV)光罩检测设备商Lasertec总裁OsamuOkabayashi受访时透露，客户名单于上个会计年度(截至6月底为止)首度扩大到计算机DRAM制造商。他说，逻辑IC晶圆代工厂商采用3nm等先进制程技术，因
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消息称台积电将启动EUV持续改善计划
台积电下半年5nm接单满载，优化版4nm明年进入量产，已获苹果、高通、联发科、博通、英特尔等大厂采用，但3nm推进面临芯片设计复杂度及晶圆代工成本大幅拉高等问题，关键在于新款极紫外光（EUV）曝光机采购金额创新高，产出吞吐量（throughpu
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SK海力士开始使用EUV大规模生产1anmDRAM
7月12日，SK海力士官方给出消息称，开始启用EUV光刻机闪存内存芯片。按照官方的说法，公司的第四代10nm（1a）级工艺的8Gigabit（Gb）LPDDR4移动端DRAM（动态随机存储器）产品已经在今年7月初开始量产。SK海力士预计从下半年
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半导体四巨头扩大EUV产能建置，EUV设备及材料供应商直接受惠
3月24日消息，包括英特尔、台积电、三星、SK海力士等半导体四巨头今年扩大极紫外光（EUV）产能建置及量产规模，包括向艾司摩尔（ASML）采购最新0.33数值孔径EUV曝光机，每小时曝光产量（throughput）可提升至160片，并与ASML
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日本富士胶片或启动EUV光刻胶业务，希望在2024年之前获得10%市占
1月8日消息，有报道指出，日本富士胶片已正式启动EUV光刻胶业务，目标在2024年之前获得全球的10%市占。富士胶片在生产据点导入高准确度的质量检查设备等，目前已经展开样品出货，计划最快在2021年的前半开始量产。由于AI人工智能、IoT物联网
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韩国企业发力EUV光刻技术 不断缩小与外企差距
据韩媒BusinessKorea报道，以三星为代表的韩国企业在EUV光刻技术方面取得了极大进展。根据对韩国知识产权局（KIPO）过去十年（2011-2020）的EUV相关专利统计，在2014年达到88项的顶峰，2018年为55项，2019年为5