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武汉新芯二期扩产项目开工，总投资17.8亿美元
8月28日，武汉新芯二期扩产项目正式开工建设，预计总投资17.8亿美元。据悉，为抢抓物联网和5G应用为半导体领域带来的重要机遇，二期项目将建设自主代码型闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台，旨在把武汉新芯建设成为中国物联网芯片的领军企业。武
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中国要制造存储芯片，看似山穷水尽，实已柳暗花明
中芯国际与联芯科技近日共同宣布，中芯国际28纳米高介电常数金属闸极(HKMG)制程已成功流片，基于此平台，联芯科技推出适用于智能手机等领域的28纳米SoC芯片，包括高性能应用处理器和移动基带功能，目前已通过验证，准备进入量产阶段。中芯国际董事长
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武汉新芯发力3D NOR 欲领衔中国存储半导体业
12月12日，工业和信息化部软件与集成电路促进中心(CSIP)在江苏南京举办以“推动整机与芯片联动，打造集成电路大产业链”为主题的“2013中国集成电路产业促进大会暨第八届‘中国芯’颁奖典礼”。会议期间，受邀采访到来自武汉新芯董事长兼总裁王继增
2013-12-19 09:27 -
美光科技将入主武汉新芯
继美国德州仪器洽购中芯国际原托管工厂成都成芯半导体之后，美国闪存巨头美光科技也将入主武汉新芯。武汉新芯为中部第一个12英寸半导体制造项目，也是大陆唯一的存储芯片代工厂。该厂一期工程总投资高达100亿元，2006年6月动工，2008年9月正式投产
2010-09-03 09:23