台积电宣布与英飞凌共同开发65纳米eFlash制程

台积电宣布与英飞凌共同开发65纳米eFlash制程

英飞凌台积电安全应用扩大双方的合作关系，共同开发及生产65纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)制程技术。根据协议内容，英飞凌和台积电将为嵌入式闪存微控器(MCU)共同开发 65 纳米制程技术，以满足汽车工业严格的质量要求以及芯片卡和安全性市场对于安全的高度需求。

这项与台积电的扩大合作案，符合英飞凌委外代工并参与共同开发65纳米及更先进制程技术之策略。以汽车应用而言，65纳米eFlash技术能达成最高程度的功能整合，来实现未来的安全和排气标准中所要求的效能和功用。至于芯片卡和安全应用，65纳米eFlash技术能实现英飞凌对于客制化安全产品的创新，在智能卡的外形尺寸之外，以最佳的成本效能比达到适当的的安全等级。

安全微控器的制程与产品验证以及量产准备预计在2012年下半年完成，车用微控器的产品验证及生产则预定在2013 年上半年开始。英飞凌32位微控器的TriCore系列将是采用该65 纳米eFlash制程的车用类先期产品。

至于芯片卡和安全应用方面，台积电将负责制造英飞凌在所有应用层面所提供的各式安全微控器产品，包含接触型(contact-based)和感应型(con-tact-less)接口或是两用型接口。

回顾过去，英飞凌和台积电在多个应用领域，例如工业和有线通讯方面，已累积逾十年的生产合作关系。两年前双方更协议以台积电65纳米低功率技术为英飞凌生产行动装置应用产品。此次的合作则将这项协议内容扩大至汽车电子和芯片卡应用领域，象征双方坚定且持续的承诺，为建立强大开发联盟及长期稳定的生产伙伴关系所做的努力。

英飞凌在2008年，于总规模约183亿美元的全球汽车电子取得9.5%的占有率，亦是芯片卡半导体的首选供货商；2008年全球芯片卡半导体市场为24亿美元，英飞凌市占率达 25.5%。台积电能提供符合AEC-Q100规格的0.25微米及0.18微米嵌入式闪存智财，号称是全球目前唯一有此能力的专业晶圆代工厂。