富士通展示GaN功率晶体管的试制晶圆

富士通展示GaN功率晶体管的试制晶圆

　富士通半导体在“CEATEC JAPAN2010”（2010年10月5~9日，幕张Messe会展中心）上，展示了集成GaN功率晶体管的直径150mm的硅晶圆。在该元件量产线所在的会津若松市的工厂中进行了试制。面向2012年的正式量产，将于2011年上半年开始样品供货。

此次开发的GaN功率晶体管以在GaN类材料的异质架构上形成的HEMT（高电子移动度晶体管）为原型。通过像MOSFET一样导入栅极绝缘膜，实现了常闭化。元件的耐压为700V级，电流容量为20~40A.能在最高200℃的高温下工作。

　　富士通半导体计划首先面向富士通制造的服务器中使用的开关电源量产此次的GaN功率晶体管。与此同时也将面向海外销售。GaN功率晶体管的优点是不仅可用于服务器，“还可用于个人电脑”（富士通半导体的解说员）。例如，个人电脑用的DC-DC转换器上的耐压30V的元件，其运行速度、耗电量和芯片面积等均优于Si-MOSFET.

　　富士通半导体计划在GaN功率晶体管的量产中最初使用直径150mm的硅晶圆，之后再加大到200mm以上。将来“还要使用300mm的生产线