DDR3合约价持平开出 2GB模组价守住美金9元价位

来源:华强电子网 作者:—— 时间:2011-12-28 10:27

       根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查,虽然时序进入12月下旬传统PC出货淡季,十二月下旬合约价格与上旬相较呈现持平的价格走势,DDR3 4GB均价维持于16.5美元,DDR3 2GB均价亦守9.25美元,合约价于下半年漫长的跌幅走势中总算于年末出现止跌的迹象,2Gb颗粒在均价维持0.88美元。

       从市场面来观察,虽然还没有明确实证指出明年首季有显著的需求回升,但受惠于先前数家DRAM厂陆续减产所造成的产出缩减,有少数PC OEM为避免受到后续供货不足影响,已经增加DRAM购买数量。由于中国农历年已经即将到来,预计2012年一月的成交数量受到工作天数减少影响将会略显清淡,所幸先前减产的效应会逐渐显现,加上硬盘缺货的疑虑逐渐消散,DRAM合约价格可望于短期内呈现相对平稳的走势。

       2011年 DRAM产业重大事件回顾

       2011年对于DRAM产业实属充满不确定性因素的一年,不仅是天灾频传,陆续造成DRAM供给与需求的冲击以外,由于PC产业受到平板计算机崛起所造成的生态变化,对DRAM的消耗量产生重大的影响,消费者追求轻薄的硬件需求,令对内存的需求大幅趋缓,造成下半年供过于求的严峻态势。以下是集邦科技对2011年DRAM产业重大事件的回顾:

       1. 2011 DRAM合约颗粒价格跌幅达58%,现货价格跌幅更高达70%
2011年DRAM 2Gb合约颗粒价格,自五月高点2.13美元下跌至今0.88美元,跌幅达58%,现货市场价格更从年初2.32美元下滑至0.7美元,跌幅更高达70%,颗粒价格直逼2008年金融风暴低点。

       2. 2011年下半年开始DRAM厂陆续宣布减产
由于DRAM颗粒价格跌幅过大,甚至跌破现金成本,DRAM厂在下半年陆续宣布减产,2011年自年初高点1300K下修至约1030K,减幅约21%,其中台系DRAM厂投片减幅甚至高达44%,影响最大。

       3. 次世代制程转进难度增加,DRAM厂差距逐步扩大
制程转进伴随着的是庞大的研发费用,如三星已逐渐跨入20nm制程,海力士与尔必达则是于下半年积极转进30nm制程,反观台系厂商仍在40nm甚至50nm制程,如此差距下,台系厂仍苦思未来发展方向。

       4. 日本311大地震重创DRAM产业上游供应炼
日本东北大地震冲击,冲击硅晶圆的供给及后续限电的措施,当时全球DRAM产出造成影响,尤其以越后半导体的福岛白河厂与SUMCO的山形米泽厂影响最为严重,亦让当时的硅晶圆的产出充满不确定的因素。但缺货的疑虑很快随着硅晶圆厂的复工而消散,导致DRAM价格于五月份起一路下滑至年底。

       5. 台系DRAM厂逐步退出标准型DRAM市场,转型代工及非标准型DRAM业务
标准型DRAM市况严峻,台系DRAM纷纷退出市场,如茂德因财务问题大幅减产,力晶转型代工及非标准型DRAM业务,南科与华亚科则是减少投片以求渡过DRAM产业寒冬。

       6. 泰国洪灾冲击硬盘供应炼,进而影响PC出货甚至DRAM价格
第四季末泰国洪灾影响硬盘出货,其中以WD受创最为严重,Seagate及Hitaichi虽未受到严重冲击,但因受到洪灾关系影响该地交通导致出货不顺,整体全球所造成的缺口约在10-20%。所幸受惠于硬盘厂的实时反应,复工状况良好,根据集邦科技的预估,硬盘的缺口预计将在2012年二月复原,缺货所造成的冲击可望得到完全纾解。

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