TI业界首款栅极驱动器满足IGBT与SiC FET设计需求

TI业界首款栅极驱动器满足IGBT与SiC FET设计需求

       日前，德州仪器 (TI) 宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 与碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 单通道输出级电源管理栅极驱动器。TI 支持拆分输出的最新 UCC27531 与 UCC27532 输出级栅极驱动器可为隔离式电源设计提供最高效率的输出驱动功能、最低的传播延迟以及更高的系统保护力，以充分满足太阳能 DC/AC 逆变器、不间断电源供应以及电动汽车充电等应用需求。如欲了解更多详情和样片，敬请访问：www、ti、com、cn/product/cn/ucc27531。

       当前的可再生能源应用需要电源组件的支持，以更高效率安全地提高供电量。设计人员喜欢采用 IGBT 或最新 SiC FET ，以在超过 400V 的电压下降低功率损耗。这些器件不但支持高达 1,200 伏的关态电压，而且还提供比同等 MOSFET 更低的导通电阻。它们通常由 TI 微控制器或专用数字电源控制器（如 UCD3138）管理。此外，基于 IGBT 和 SiC FET 的新一代设计方案还需隔离功率级高噪声开关环境中的功率与信号。

       UCC27531 和 UCC27532 可避免数字控制器运作时太靠近电源电路，从而延长隔离式电源设计方案的寿命。

UCC27531 的主要特性与优势：

·         强大的输出驱动功能：2.5 A 源极与 5 A 汲极峰值电流支持更快的 IGBT 充电，可确保运作可靠高效；

·         最快速的传播时间：17 纳秒的典型延迟值可提高驱动器效率；

·         高可靠性：UVLO 设置与轨至轨输出电压可提供系统保护；

·         可处理高噪声环境：负输入电压处理使驱动器能支持多种工业设计；

·         系统保护：拆分输出配置可提高 Miller 接通抗扰度，防止 IGBT／MOSFET 损坏。

不断壮大的 IGBT 驱动器系列

       最新输出级驱动器进一步壮大了 TI 驱动 IGBT 的模拟及数字控制器产品系列。ISO5500 等隔离式栅极驱动器可在大电流、高电压设计方案中提高安全性与系统性能。此外，该驱动器还可在长时间内、在不同温度和湿度下确保 SiO2 电介质的稳定性，提供业经验证的高可靠性。另外，TI 还提供庞大完善的单双通道 5A 高速低侧电源管理栅极驱动器之产品阵容，如 UCC2751x 和 UCC2752x 系列等。

供货情况与价格

       采用 6 引脚、SOT-23 封装的 UCC27531 与 UCC27532 栅极驱动器现已开始供货。同步提供的还有 UCC27531EVM-184 IGBT 驱动器子卡评估板，可通过 TI eStore 订购。此外，PSpice 模型与《IGBT 35V 单通道栅极驱动器》应用手册还有助于加速设计进程。（责编：damon）