受iPhone6拉货影响 NAND第三季可望摆脱供过于求

来源:EET电子工程专辑 作者:------ 时间:2015-05-14 10:54

嵌入式 出货 记忆体 iPhone6 Nand


  TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查报告显示,受到新款智慧型手机上市以及 2015年度苹果(Apple)新款iPhone即将开始拉货的影响,NAND Flash市况将逐渐增温,预估在第三季摆脱供过于求,转为供需较为平衡的格局。

  从供给面来观察,虽然各家NAND Flash厂商陆续宣布3D-NAND Flash的量产时程,但嵌入式产品应用仍须考量控制晶片的搭配,与各种系统端搭配的相容性问题,DRAMeXchange预估2015年3D-NAND Flash的产出比重将仅有7%。除此之外,部分厂商15/16奈米导入至eMMC与SSD的进度不如预期,加上TLC的应用导入也有所递延,因此第二季 与第三季的产出位元成长率将低于预期。

  DRAMeXchange研究协理杨文得表示,市况回温的关键点在于需求端的变化。第一季及第二季 上半智慧型手机市场受淡季效应、以及中国内需疲软影响,因此NAND flash市场表现不佳;但随着国际品牌陆续推出新款智慧型手机产品,其中尤以苹果的iPhone与iPad对NAND Flash消耗量庞大,使NAND Flash厂商开始将产能移往苹果相关的需求上,而中国智慧型手机品牌则因新处理器平台上市和第三季旺季来临而开始准备,因此第二季与第三季的位元需求高 于产出成长,NAND Flash价格将逐步回稳。



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