英特尔大连厂攻NAND 市场恐供过于求

　　全球半导体龙头英特尔宣布，旗下位于大陆大连的12寸晶圆厂将由原本生产电脑晶片组，转为制造储存型快闪记忆体(NAND Flash)，总投资金额达55亿美元(约新台币1，815亿元)，明年下半年投产。

　　法人认为，英特尔大连厂从自家处理器转为生产NAND晶片，反映PC市况不佳，此次投资金额庞大，以该厂区月产能10万片推算，恐让全球NAND晶片供应增加约一成，市场供过于求压力更大，不利群联、创见、威刚等台厂。

　　台湾NAND相关业者坦言，市场仍供过于求，价格持续缓跌，第3季表现已经不旺，本季理应是传统旺季，但受景气不佳拖累，需求面并无太多惊奇，恐会“旺季不旺”。研调单位集邦科技直言，NAND市场从今年第4季到明年第1季，都将供过于求。

　　业界人士说，英特尔与美光先前已合资设立IM公司生产NAND晶片，IM目前为全球前四大NAND晶片供应商，英特尔大手笔在大连生产NAND晶片，恐让市场供需更进一步失衡。

　　业界认为，大陆积极发展半导体产业，记忆体已成为卡位重点，英特尔此时选择让大连厂转型，藉由加入红色供应链避免成为竞争的对象，显然是其重要的策略，但也因此协助扩大大陆发展记忆体的能量，台湾业者必须小心因应。

　　就 英特尔目前释出的讯息来看，大连厂将会生产先进的3D NAND产品，与三星、东芝、SK海力士等竞争对手争抢市场。若是进一步用来生产日前与美光合作发表的新技术3DXPoint，因为速度是NAND晶片的 1，000倍、密度比DRAM高10倍，可同时取代DRAM和NAND晶片，对产业的冲击性将更大。

　　英特尔的NAND晶片主要由与美光合 资的IM公司代工，生产伺服器用固态硬碟(SSD)，这次决定自制，引发外界与美光合作关系的疑虑。英特尔非挥发记忆体部门副总Rob Crooke表示，英特尔与美光的合作关系稳定，但该公司需要额外的货源服务全球客户;美光也考虑向英特尔大连厂拿货。

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