Diodes栅极驱动器可在半桥或全桥配置下开关功率MOSFET与IGBT

Diodes栅极驱动器可在半桥或全桥配置下开关功率MOSFET与IGBT

　　Diodes公司新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。目标应用包括大型家用电器的驱动电机、工业自动化系统以及电动自行车和无人驾驶飞机等以电池供电的运载工具。新产品还适用于超过600W的电源，以及燃料电池、太阳能和风力发电应用的反相器。

　　DGD21xx系列具有可自举到高达600V的浮动高侧驱动器，使之适用于在电机驱动器及电源常见的高压电源轨。高峰值电流驱动能力实现MOSFET与IGBT的快速开关，从而在高频率工作下提升效率。这些器件的输入逻辑兼容低至3.3V，进一步简化控制器及电源开关之间的接口设计。

　　为防止MOSFET或IGBT出现击穿现象，所有器件都提供延迟匹配能力，而半桥驱动器还配备预设的内部死区时间。其它自我保护功能包括有效防止触发故障状态的施密特 (Schmitt) 输入;能够承受由高dV/dt开关所产生负瞬态的栅极驱动器，以及可在低供电电压情况下防止故障的欠压闭锁。

　　新产品系列采用SO-8或SO-16封装，与其他来源的器件引脚兼容。

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