中国半导体业上演本土配套和进口替代黄金交叉年

中国半导体业上演本土配套和进口替代黄金交叉年

　　半导体行业已成为中国国家战略优先发展的产业，加上集成电路是“中国制造2025”未来产业智能化的核心，因此反映中国半导体业的核心地位日益显着。而因2016年正处于行业上升周期与国家政策扶持周期叠加共振之中，故中国半导体业整体景气仍持续向上，特别是在国家战略和市场机制的结合下，中国半导体业将可望达到重点突破和整体水准提升的目标，预计中国国家集成电路产业投资基金(大基金)投资布局将从面覆盖朝向点突破来作转变，同时工作重心将从注重投资转为上下游供应链同步并重的方向来走。另外2016年中国半导体产业发展将以政府大力扶植自主创新、超越摩尔定律、记忆体为发展重点等为主轴，就整体市场变动来看，本土配套和进口替代的黄金交叉正在上演。

　　首先，在政府大力扶植自主创新方面，在中国集成电路已有一定的发展基础后，提倡技术或规格的自主创新将是行业发展必经之路，毕竟从过去联想与华为两家公司的经营成效可知，联想选择模仿和购并的发展模式，华为选择自主创新的策略，后来华为发展远快于联想，显示中国半导体行业将从跟随战略转向创新跨越，在全球产业创新链中形成自己的特色。

　　其次在超越摩尔定律方面，主要是基于物联网的发展，MEMS与集成电路的融合将是趋势，甚至未来半导体产业驱动模式将从过去技术驱动转变为技术集成、产业链生态体系整合驱动的模式。

　　中国半导体行业在2016年将以记忆体为发展重点，最主要是记忆体与微处理器是发展半导体业不能或缺的领域，况且记忆体市场的仍具成长潜力，特别是中国切入记忆体市场更有其优势，包括进口替代空间大、产业转移、政策大力支持等，而预计2016年武汉新芯、同方国芯、兆基科技(合肥Elpida)将携手挑起中国记忆体产业的发展大梁，填补最为空白的领域。

　　其中，同方国芯于2015年11月宣布定向增资800亿元人民币，主要布局Nand Flash相关的技术与专利、制造工艺等，包括记忆体芯片工厂的建立、收购力成与南茂25%股权、产业链上下游的收购等;尔后2016年3月底武汉新芯举行东湖记忆体项目动工仪式，该专案由国家集成电路产业投资基金(大基金)、湖北省集成电路产业投资基金、国开发展基金、湖北省科技投资集团共同出资建设，专案总投资将达240亿美元，未来投入将以3D NAND Flash产品为主，预计产能可望达30万片，目标最快2018年年初开始生产;至于合肥政府携手尔必达460亿人民币建10万片/月低功耗记忆体晶圆厂，2018年下半年量产。

　　事实上，中国企业在布局记忆体产业优先选择3D NAND Flash而不是DRAM，最主要是由于NAND Flash未来市场成长性优于DRAM，特别是在传统硬碟转向固态硬碟的趋势显着、数据中心建设等环境带动下，未来NAND Flash的用量将快速提升，加上NAND Flash适逢技术由平面NAND Flash技术架构转至3D NAND Flash之时，给予中国业者切入发展的契机。

　　整体而言，虽然受到中国经济成长趋缓的影响，使得2015年、2016年中国集成电路市场规模呈现增长减缓的格局，不过整体增幅分别为6.07%、5.49%仍是高于全球的水准，最主要是受惠于全球半导体产业转移至中国态势显着，加上中国国家政策扶持态度坚定，使得生产与融资环境趋于完善，且结构深度也加速调整，更何况中国集成电路产业的进口替代空间超过2,000亿美元/年，此为其他电子产品难以复制，意谓中国半导体业正适逢本土配套和进口替代黄金机遇期。

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