三星半导体库存堆积 创历史新高

　　先前外资痛批三星电子不顾同行道义，在记忆体业赶尽杀绝。如今背后原因似乎揭晓，韩媒指出，今年第一季三星电子和 SK 海力士(SK Hynix)的半导体库存双双创下新高，满坑满谷的记忆体卖不动，三星或许因此杀红了眼。

　　BusinessKorea 18 日报导，今年 Q1 季末，三星电子的半导体库存达 7.4 兆韩圜，写下同季历史新高。SK 海力士的半导体库存为 2.2 兆韩圜，更创下该公司史上之最。一般而言，企业都赶在新年之前尽量消化库存，Q4 应是出货旺季，不料记忆体买气从 2015 年开始急冻，2015 年 Q4 库存增加速度之快，几乎前所未见。

　　三星半导体库存连年提高，近来更急速成长。2012 年半导体库存约为 4 兆韩圜，2015 年增至 6~7 兆韩圜，今年 Q1 更超越 7 兆韩圜。和 2015 年同期相比，今年 Q1 库存飙升了 1.7 兆韩圜。主要原因应是记忆体买气骤减，Q1 三星记忆体部门营收年减 3,700 亿韩圜。

　　与此同时，2015 年 SK 海力士的库存大都在 1.5 兆韩圜以下，不料 2015 年年底突然暴增至 1.9 兆韩圜，今年 Q1 又一举突破 2 兆韩圜。SK 海力士的库存资产占总资产比重一路攀升，2014 年来从 5.6% 升至 6.5%，再增至 7.4%。库存爆满，问题是记忆体前景欠佳，需求仍淡，业者可能会启动更激烈的杀价战，出清库存。

　　记忆体业凄惨，又有新技术出来抢市场，前景更为黯淡。Phone Arena、Engadget 17 日报导，“相变化记忆体”(Phase-Change Memory，简称 PCM)因成本太高，智慧机等行动装置无法采纳，过去 15 年来一直应用在光碟片等科技产品。然而，IBM 现在不但降低了成本，还想出新的方法，可在每个记忆单位(cell)中储存 3 位元资讯、即使周遭温度较高也毫无障碍，未来可能会让记忆体领域出现巨变。

　　IBM Research 17 日在巴黎举办的 IEEE 国际记忆体研讨会(International Memory Workshop)上表示，新开发的技术可降低 PCM 成本，价格不但能与快闪记忆体竞争，还会比 DRAM 更便宜。

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