Vishay宣布升级模拟开关产品的制造工艺

Vishay宣布升级模拟开关产品的制造工艺

　　Vishay Intertechnology, Inc.宣布，将多个Vishay Siliconix模拟开关产品升级到了新工艺，大幅提升了器件性能和寿命。这种新工艺能够替代渐趋过时的硅技术，全面提高器件的性能参数，并且保证未来有很好的使用寿命。Vishay的模拟开关和复用器产品线始于二十世纪60年代，这次工艺升级表明Vishay将继续支持这些产品。

　　Vishay Siliconix新发布的增强型模拟开关和复用器在高密度18V工艺上进行设计。这种工艺不但能让使用Vishay现有的12V系列产品的客户顺利过渡到新产品，而且使Vishay开发出更复杂，用于灵敏的模拟设计的新型精密模拟产品。

　　器件性能指标的重要改进包括：工作电压从12V提高到16V;更低的泄漏，减少了寄生电容，开关速度更快;更加耐用，具有更高的闩锁电流和ESD保护。例如，新的DG9408E和DG9409E可以直接替换常用的DG9408和DG9409，开关导通电阻比后者低20%，开关速度高10%，寄生电容低35%，闩锁能力高达400A，保证实现2.5kV(人体模型)的ESD保护。

　　下表是升级到增强版本的12V器件家族。

　  Vishay功率IC部的副总裁Roy Shoshani表示：“这些新产品是采用新工艺的一系列创新模拟器件的首批产品。我相信，采用这些新产品的客户会发现，他们的精密模拟电路的性能会得到了有效提高。我们的客户正在为工业、仪表和医疗保健等要求长产品寿命的应用做设计，这个新工艺平台能够支持客户实现他们的设计，同时实现更好的性能和耐用性。另外，改进后的生产流程将缩短供货周期，使产品供货更加及时可靠。”

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