凌力尔特IEEE 802.3bt PD控制器为更高功率铺路

　　凌力尔特 (Linear Technology Corporation) 日前推出IEEE 802.3bt 受电装置 (PD) 介面控制器 LT4295，该元件适用于要求接受高达 71W 功率的应用。下一代乙太网路供电 (PoE) 标準 IEEE 802.3bt 使製造商能够超越 2009 IEEE 802.3at 标準分配的 25.5W 功率，凌力尔特并预备率先提供符合下一代 IEEE 标準的产品。新标準又称为 PoE++ 或 4PPoE，可提高功率预算以符合新型应用和功能，同时支援 10Gb 乙太网路(10GBASE-T)，并保持与较旧版本 IEEE装置的向后相容性。LT4295 符合 IEEE 802.3bt (草案 2.0) 要求并支援新功能，包括所有新增加的 PD class (5、6、7 和 8)、新增加的 PD type (Type 3 及 Type 4) 以及 5-event分级。

　　LT4295 为单特徵 802.3bt PD 控制器，内建隔离式开关稳压器控制器，具备辅助电源支援，能够在採用高效率顺向拓扑和无光耦合反驰式拓扑时同步运作。由于具备高整合度，因此可减少所需元件和电路板空间，而能简化前端 PD 设计，使 LT4295 仅凭自身 IC就能够高效率地为PD 负载供电。与内建功率 MOSFET 之传统 PD 控制器不同的是，LT4295 透过控制外部 MOSFET以大幅降低 PD 所产生的总热量，并可达到最高的电源效率，由于 802.3bt 的功率水準更高，因而此点更重要。外部 MOSFET 架构使用户能够按照需求选择 MOSFET 尺寸，基于 LT4295 的标準实现方案一般选用 30m? RDS(ON) MOSFET。

　　LT4295 提供工业和汽车温度级版本，分别支援 –40°C 至 85°C 和 –40°C 至 125°C 工作温度範围。LT4295 千颗量购计之单价为 2.75 美元起，目前已可供货。LT4295 为包括 LT4276 和 LT4275 在内的凌力尔特现有 PoE+ PD 控制器提供了升级途径。为达到最高的可用功率并减少 PD 产生的热量，可使用 LT4321 理想二极体桥式控制器。

　　图说：PoE++ 乙太网路供电 PD 介面控制器

　　LT4295性能摘要：

　　? 具备顺向 / 反驰式控制器的 IEEE 802.3af / at / bt (草案 2.0) 受电装置 (PD)

　　? 外部热插拔 N 通道 MOSFET 可达到最低功耗和最高系统效率

　　? 支援高达 71W 的 PD

　　? 5-Event分级检测

　　? 卓越的涌浪保护 (100V 绝对最大值)

　　? 宽广接面温度範围 (–40°C 至 125°C)

　　? 採用 LT4321 理想二极体桥接器时可提供 >94% 的端对端效率

　　? 无光耦合反驰模式操作

　　? 辅助电源支援低至 9V

　　? 採用 28 接脚 4mm x 5mm QFN 封装

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