凌力尔特IEEE 802.3bt PD控制器为更高功率铺路

凌力尔特IEEE 802.3bt PD控制器为更高功率铺路

　　凌力尔特 (Linear Technology Corporation) 日前推出IEEE 802.3bt 受电装置 (PD) 介面控制器 LT4295，该元件适用于要求接受高达 71W 功率的应用。下一代乙太网路供电 (PoE) 标準 IEEE 802.3bt 使製造商能够超越 2009 IEEE 802.3at 标準分配的 25.5W 功率，凌力尔特并预备率先提供符合下一代 IEEE 标準的产品。新标準又称为 PoE++ 或 4PPoE，可提高功率预算以符合新型应用和功能，同时支援 10Gb 乙太网路(10GBASE-T)，并保持与较旧版本 IEEE装置的向后相容性。LT4295 符合 IEEE 802.3bt (草案 2.0) 要求并支援新功能，包括所有新增加的 PD class (5、6、7 和 8)、新增加的 PD type (Type 3 及 Type 4) 以及 5-event分级。

　　LT4295 为单特徵 802.3bt PD 控制器，内建隔离式开关稳压器控制器，具备辅助电源支援，能够在採用高效率顺向拓扑和无光耦合反驰式拓扑时同步运作。由于具备高整合度，因此可减少所需元件和电路板空间，而能简化前端 PD 设计，使 LT4295 仅凭自身 IC就能够高效率地为PD 负载供电。与内建功率 MOSFET 之传统 PD 控制器不同的是，LT4295 透过控制外部 MOSFET以大幅降低 PD 所产生的总热量，并可达到最高的电源效率，由于 802.3bt 的功率水準更高，因而此点更重要。外部 MOSFET 架构使用户能够按照需求选择 MOSFET 尺寸，基于 LT4295 的标準实现方案一般选用 30m? RDS(ON) MOSFET。

　　LT4295 提供工业和汽车温度级版本，分别支援 –40°C 至 85°C 和 –40°C 至 125°C 工作温度範围。LT4295 千颗量购计之单价为 2.75 美元起，目前已可供货。LT4295 为包括 LT4276 和 LT4275 在内的凌力尔特现有 PoE+ PD 控制器提供了升级途径。为达到最高的可用功率并减少 PD 产生的热量，可使用 LT4321 理想二极体桥式控制器。

　　图说：PoE++ 乙太网路供电 PD 介面控制器

　　LT4295性能摘要：

　　? 具备顺向 / 反驰式控制器的 IEEE 802.3af / at / bt (草案 2.0) 受电装置 (PD)

　　? 外部热插拔 N 通道 MOSFET 可达到最低功耗和最高系统效率

　　? 支援高达 71W 的 PD

　　? 5-Event分级检测

　　? 卓越的涌浪保护 (100V 绝对最大值)

　　? 宽广接面温度範围 (–40°C 至 125°C)

　　? 採用 LT4321 理想二极体桥接器时可提供 >94% 的端对端效率

　　? 无光耦合反驰模式操作

　　? 辅助电源支援低至 9V

　　? 採用 28 接脚 4mm x 5mm QFN 封装

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