2D转3D工艺制程“青黄不接” 3D NAND缺货涨价延续2017

2D转3D工艺制程“青黄不接” 3D NAND缺货涨价延续2017

　　近几年来，NAND Flash受益于移动智能终端的崛起而快速向市场渗透，然工艺制程逐渐逼近物理极限的1Z纳米，容量更高、稳定性更好的3D NAND成为存储厂商新的工艺突破点。2016年，2D转3D 工艺衔接不畅造成了NAND Flash严重缺货，致其价格一路飙升，多家终端企业受到波及。据某数据调研公司预计，这种缺货及涨价趋势还将延续2017年一整年。这对产业链诸多企业来说，是极需突破的挑战。

　　2D减产3D良率不足致缺货

　　按照存储市场的发展规律，Q1是NAND Flash的传统淡季，然而集邦科技相关数据分析称，2017年Q1 NAND Flash的涨幅将在15%-20%，而这种趋势至少要持续到2017年的Q3，Q4是否延续还得看三星、东芝和美光64层3D NAND的产能而定。

　　缺货是半导体行业的常态，然而在淡季缺货程度如此明显则罕见，业界普遍认为，此次缺货归因于NAND Flash 2D转3D的青黄不接。

　　以往，存储芯片的工艺制程每升级一次，旧制程的产品都会以降价的方式迎接新产品面世，从90nm到15nm都遵循着这样的发展规律，3D NAND亦是如此。为迎接3D NAND到来，2016年Q1存储厂商便将 2D TLC的价格直接拉入了谷底，然而出乎意料的是，3D NAND良率不及预期，产品供应没能跟上。

集邦科技记忆体储存事业处协理杨文得

　　集邦科技记忆体储存事业处协理杨文得表示，一方面，3D NAND制程的转进并非易事，良率不及预想的那么高，这是缺货最直接的原因;另一方面，能出货的供应商太少，2016年，全球只有三星一家能真正供货3D NAND，东芝、美光等还未能真正量产，整个3D市场产能不够饱满。他透露，在良率方面，尽管三星和美光均能达到80%以上，然市场供应仍以三星一家为主，其产能有限，缺货成必然。

深圳市江波龙电子有限公司SSD产品总监钟孟辰

　　深圳市江波龙电子有限公司(简称“江波龙”)SSD产品总监钟孟辰也表示，2016年5、6月份，3D NAND逐渐推向市场，然而在应用中发现其良率并不好，致使原厂未能释放更多的产能出来。他回顾了缺货的大致过程：“从2016年Q2开始，缺货现象初露端倪，但那时代理商手上仍有一些库存，因此缺货并不明显，到Q3缺货日渐明显，Q4真正达到缺货高峰。”

　　事实上，除了3D NAND良率不高导致缺货，还有一个原因是客户的认证周期长。钟孟辰表示，企业级客户(大数据客户)、手机OEM(苹果、华为和OV)以及PC OEM(戴尔、惠普和联想)等，要认证一颗Memory物料需要一定周期，这个时间可能是三个月，也可能是半年。

　　上述分析了3D NAND缺货的几个原因：良率不高，供应商少以及客户认证周期长等，而3D NAND的“爽约”直接影响到2D的产能释放。“受到产线折旧的影响，在转进3D时，供应商压缩了2D NAND的产能。同时，智能手机的快速增量也是2D缺货的原因。”杨文得告诉记者，2016年，2D NAND依然是绝大多数智能手机的首选，下半年，华为、OPPO、VIVO等手机品牌快速增量，对2D NAND的需求远超以往，致2D缺货严重，最缺的容量是64G和128G。涨幅方面，2D的TLC NAND大概涨了70-80%，SSD涨了50%左右。

　　可见2016年，2D NAND市场占比仍然很高。钟孟辰告诉记者：“在智能手机和平板电脑等嵌入式方面，eMMC/eMCP基本占据95%以上的份额，SSD占据70%的市场份额，U盘和卡片占据60%的市场份额。”

　　关于NAND Flash缺货，业界还流传一种说法，那便是三星Note 7爆炸事件引发业绩亏损，三星通过控制NAND Flash的供应和价格来“补锅”就顺理成章，毕竟三星在NAND Flash市场有绝对的话语权!对于如此的说法记者不敢妄断，但恐怕也非空穴来风。