NAND Flash今年价格腰斩，芯片制造业超级周期近尾声？

NAND Flash今年价格腰斩，芯片制造业超级周期近尾声？

　　内存芯片市场逐渐出现供应增长大于需求增长情况，造成 NAND Flash 内存价格下跌，市场担忧芯片制造业的超级周期将步入尾声，全球最大的芯片制造商三星电子与 SK 海力士将于近期发布财报，其生产计划和前景皆是关注焦点。

　　全球内存芯片市场从 2016 年年底开始蓬勃，目前规模达 1210 亿美元，获利在过去两年不断飙升，毛利率也达至 70% 以上，主要受益于产业对生产的规范。

　　但该产业转向新型 3D NAND Flash 堆叠技术，制造成本比 2D NAND 芯片更便宜，而今年新型芯片的产量增长速度大于需求，迫使一些规模较小的厂商必须降低价格以维持市占率。

　　比起 2017 年的价格高峰，NAND Flash 内存芯片今年的平均价格近乎砍半，市场对价格进一步下滑的担忧，使 SK 海力士股价在周一重挫 7%，25日持续下跌近 4%。

　　DRAM 的价格今年上涨超过 20%，但中国大陆开始对三星电子等公司进行价格操纵调查，以及鼓励本土芯片制造产业，期望降低对外国供应依赖之下，DRAM 的价格正在失去动能。

　　HI Investment & Securities 的分析师 Song Myung-sup 指出，尽管目前中国大陆的内存芯片产能仍不高，但随着生产良率的改善，产能有望在明年下半年开始提升，届时将会影响半导体市场。

　　Gartner 的分析师 Andrew Norwood 认为，中国大陆厂商进入市场，可能是三星电子大幅积极提升产能的因素之一，而在 2020 年与 2021 年，该行业的利润可能会大幅减低。

　　尽管内存明年供过于求的情况为产业一大隐忧，但以今年来看，内存市场的利润还是相当可观，三星电子即将在 31 日公布财报，预期芯片销售的获利将创下 12.5 兆韩元 (110 亿美元) 的纪录，年增长 50%。

　　SK 海力士将在 26 日公布第 2 季财报，预计营业利润将达 5.5 兆韩元，营收则为 10.2 兆韩元，年增长分别为 79% 与 52%。

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