第二季全球移动内存产值再创新高
TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)调查显示，2018年第二季在Android阵营接续发表旗舰新机的带动下，全球智能型手机市场总生产数量季增近3%。 由于高阶机种主流搭载容量升至6GB，且8GB的搭载占比也较2017年扩大;加上市场供给仍旧紧缺，带动第二季合约价格微幅上扬，在量增价涨下，第二季行动内存产值达88.69亿美元，季增5.1%，再创新高。
展望第三季，DRAMeXchange指出，尽管有iPhone新机需求挹注，但整体智能型手机市场成长趋缓，淡旺季差异不若以往，对于提振行动式内存需求帮助有限。 再者，随着下半年供应端产能开出，各厂先进制程的良率也逐步提升，行动式内存市场的供货满足率(Order fulfillment rates)将提高，第三季行动式内存合约报价与第二季持平，再加上现货市场需求亦不热络， 预估第三季整体营收成长力道将更趋缓。
观察个别供货商表现，三星率先量产大容量的行动式内存产品，加上稳定的供货能力，囊括多数大容量订单，因此尽管第二季与第三季报价上涨幅度相对平稳，但三星依然以50.43亿美元的营收表现稳居市场龙头。 制程进度上，三星几乎已全采1X nm制程，仅少数LPDDR3 eMCP组合还有微量供应20nm产品。 新制程方面，三星已于第二季开始小批量投产1Y nm，由于量产初期将优先以非手机应用的产品验证为主，因此预估要到第四季才会提供少量样品供手机品牌厂验证。
SK海力士(SK Hynix)上半年1X nm新制程的良率提升缓慢，导致LPDDR4系列产能无法满足大容量DRAM的交付数量，冲击营收表现。 SK海力士第二季行动内存营收仅季增1.4%，达21.52亿美元，排名全球第二。 在制程表现上，由于1X nm的良率在第三季获得改善，LPDDR4系列中1X nm的比重将随之提高;而LPDDR3系列仍以25nm微缩的旧制程为主，后续将逐步转往1X nm制程，以增加成本优势并扩大营收市占。
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