武汉新芯二期扩产项目开工，总投资17.8亿美元

　　8月28日，武汉新芯二期扩产项目正式开工建设，预计总投资17.8亿美元。

　　据悉，为抢抓物联网和5G应用为半导体领域带来的重要机遇，二期项目将建设自主代码型闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台，旨在把武汉新芯建设成为中国物联网芯片的领军企业。

　　武汉新芯成立于2006年，由湖北省、武汉市和东湖高新区投资，一期投资规模达107亿元，建设中部地区第一条12 英寸集成电路生产线，2008年建成投产。2016年，在武汉新芯基础上，紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北省科技投资集团共同出资组建长江存储科技有限责任公司，武汉新芯整体并入长江存储，成为长江存储全资子公司。

　　截至2017年年底，武汉新芯NOR Flash晶圆出货量已经超过75 万片，产品覆盖从消费类到工业级，乃至汽车级的全部NOR Flash 市场。同时，武汉新芯在2017年成功实现扭亏为盈。据透露，国家存储基地在2020年有望实现月产能30万片。

　　目前，武汉新芯拥有1.2万片/月的代码型闪存和1.5万片/月的背照式图像传感器的生产能力。

　　武汉正在以国家存储器等重大产业项目为龙头，构建“芯—屏—端—网”集成电路产业格局，并大力发展世界级光电子信息产业集群。

　　武汉市委副书记、代市长周先旺表示，推进武汉新芯二期扩产项目建设，是武汉服务国家战略和勇担国家使命的重大机遇，对武汉建设具有全球影响力的产业创新中心，促进经济高质量发展具有重要意义。

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