英特尔中国大连二期工厂投产：投资55亿，主产96层3D NAND闪存

英特尔中国大连二期工厂投产：投资55亿，主产96层3D NAND闪存

　　在英特尔的转型业务中，存储芯片业务未来会占据更多的比重，尽管目前营收的绝对主力是客户端及数据中心处理器。英特尔的闪存业务是跟美光合资的，也就是IMFT公司，不过IMFT现在是美光为主，在第四代3DNAND闪存及第二代3X XPoint闪存之后，英特尔将与美光公司和平分手，双方各自研发、生产自家的闪存芯片。英特尔公司三年前宣布将中国大连的Fab 68晶圆厂改造为NAND工厂，总投资55亿美元，现在二期工厂已经投产了，主要生存96层堆栈的3D NAND闪存。

　　在全球NAND闪存市场上，三星份额达到37%，东芝、西数分别在20%、15%左右，其次是美光、SK Hynix，英特尔是六家厂商中份额最少的，不足10%，这也导致英特尔的NAND闪存及SSD硬盘主打企业级市场，消费级SSD就是玩玩，影响力远不如三星、东芝、美光等，根源问题则是英特尔没有独立的NAND闪存产能。

　　2015年英特尔宣布将在中国大连的Fab 68工厂建设二期工程，主要生产非易失性存储器，也就是NAND闪存，项目总投资不超过55亿美元。如今经过三年的建设，Fab 68二期工厂正式投产，主要生产96层3D NAND闪存，这也意味着英特尔未来的3D NAND闪存产能将会大增。

　　英特尔公司2006年与大连市政府达成合作协议，2007年起在大连投资25亿美元建设12英寸晶圆厂，主要负责处理器封装测试，2010年大连工厂正式落成。

　　未来大连Fab 68工厂将成为英特尔最重要的NAND闪存生产基地，70%的3D NAND闪存将产自这里，不过在3D XPoint闪存上，英特尔正在把研发基地移师新墨西哥州奥兰珠市的工厂，预计会增加100多个工作岗位。

　　目前英特尔与美光的3D XPoint闪存主要是在美国犹他州的工厂生产，双方将继续通力合作完成第二代3D XPoint技术开发，最终将会在2019年上半年完成并开始推出市场。但之后两家就会分道扬镳，各自开发基于3D XPoint技术的第三代产品。

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