南茂董事长：预计明年营运续扬，产能估双位数成长

　　封测厂南茂昨(8)日召开线上法说，董事长郑世杰表示，虽然半导体景气仍不明朗，南茂受惠标准型DRAM订单增加、触控面板感应芯片(TDDI)产品渗透率提升，预期明年营运将持续成长。不过，因仍有许多不确定因素，将密切注意市场及客户状况因应。

　　南茂财务长苏郁姣表示，第三季整体稼动率约75～80%，其中测试约75～78%，封装约65%，驱动IC约80～85%，凸块约75～80%。

　　展望第四季，受惠新客户测试产能陆续到位、投入生产，且10月再度调涨面板驱动IC(DDIC)测试及12英寸薄膜覆晶封装(COF)报价，郑世杰预期第四季DDIC稼动率估维持满载，带动营收持续成长。

　　同时，TDDI产品在新型智能手机渗透率持续增加，且新型窄边框、全屏幕智能手机带动的12寸COF需求非常强劲，郑世杰预期需求将持续到年底、甚至到明年，南茂将持续投资扩产，主要扩充TDDI、车用DDIC测试及12寸COF封装、晶圆凸块产能。

　　郑世杰表示，预期南茂明年产能将年增约双位数，资本支出将达年营收约20～25%。明年新增的封测产能，均与客户签署产能保障协议，确保未来3年的基本稼动率，若未达规定稼动率，客户会按单位时间及费用支付给南茂。

　　郑世杰表示，由于目前机器交期设备相当长，预期明年产能供需仍紧，认为南茂DDIC产品明年营收将持续成长，按目前签署的产能保障协议最低门槛推估，明年TDDI占驱动IC营收比重，将自今年第三季的22%提升至30～35%。

　　存储器方面，受终端产品需求减缓、客户调节库存影响，郑世杰预期第四季利基型DRAM及Flash营收会较第三季稍降。不过，由于美系DRAM客户自第四季起增加对南茂封测代工下单量，预期第四季存储器产品营收将持平第三季。

　　郑世杰指出，美系DRAM客户明年初将继续增加标准型DRAM代工订单量，并将较成熟的低容量NAND Flash陆续转由南茂封装生产，目前既有产能已足以因应上述新增订单需求，看好明年封装营收及稼动率将进一步成长提升。

　　对于美系DRAM客户在台中兴建自有封装产能，是否担心影响未来外包释单量，郑世杰表示，DRAM主要分为标准型、行动型及下世代的DDR4/DDR5，南茂目前承接该客户的存储器封装订单，和其台中厂产品线完全没有重叠，因此不会有此影响。

　　至于上海紫光宏茂目前仍处亏损，南茂前三季认列约新台币1.5亿元亏损，南茂表示，第三季认列紫光宏茂亏损约新台币6000多万，目前投资机器设备已有既定产能安排，预期稼动率可望逐季逐月提升，可望带动亏损逐季下降，期望明年第二、三季能出现单月或单季损平。

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