中美贸易摩擦影响，大陆2间DRAM大厂发展脚步明显放缓

中美贸易摩擦影响，大陆2间DRAM大厂发展脚步明显放缓

　　据集邦科技存储器储存研究(DRAMeXchange)指出，由于中美贸易摩擦影响，大陆2间DRAM大厂发展脚步明显放缓，其中，NAND Flash发展主力厂长江存储今年底前将正式量产64层Xtacking 3D NAND产品，而随其2020年逐步扩冲产能，预计将对全球NAND Flash市场供应与价格带来冲击。

　　集邦指出，长江存储已于第1季送样给部分客户及控制器(MCU)厂商，初期着重国内市场销售，且已完成武汉厂的建设，并小量投产32层产品，待64层正式量产后，产能扩张将转趋积极。

　　市场人士则认为，该公司2020年后预计逐步扩大产能，预估明年底至少达每月60000片投片量，尽管相对其他竞争者产能并不大，但预估仍将冲击NAND Flash市场价格持续下跌。

　　集邦分析认为，大陆新开产能以达成自给的目标相当明确，而其他国际厂商亦各自有新厂以因应2020年后的竞争，包含三星的西安二期，东芝的岩手县新厂，美光的新加坡三厂，SK海力士M15厂的剩余空间加上后续的M16厂房等，在各厂产能提升后，价格竞争恐将更为激烈。

　　另外，若以主要6大供应商发展情形而言，目前主流出货多在64,72层产品，并已量产至92,96层产品，提供客户UFS，SSD等产品进行导入，然而，今年市况不稳，供应商自去年年底逐步调降资本支出并调整扩产时程，甚至有部分供应商决定减产，则导致新制程比重成长速度趋缓。

　　但反观长江存储发展规划，在推出64层产品后，长江存储将直攻128层以缩减与其他供应商之间差距，集邦认为，尽管长江存储在技术发展上仍与主要供应商有相当差距，但未来对市场的影响恐势难抵挡。

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