SK海力士及美光等DRAM厂评估采用EUV技术

来源:台湾工商时报 作者: 时间:2019-06-18 09:32

sk海力士 晶圆代工 EUV光刻机

  继台积电、三星晶圆代工、英特尔等国际大厂在先进逻辑制程导入极紫外光(EUV)微影技术后,同样面临制程微缩难度不断增高的DRAM厂也开始评估采用EUV技术量产。三星电子今年第四季将开始利用EUV技术生产1z纳米DRAM,SK海力士及美光预期会在1α纳米或1β纳米评估导入EUV技术。

SK海力士及美光等DRAM厂评估采用EUV技术

  由于先进制程采用EUV微影技术已是趋势,在台积电第二季EUV技术7+纳米进入量产阶段并获华为海思订单后,三星晶圆代工也采用EUV量产7纳米制程,英特尔预期2021年7纳米会首度导入EUV技术。而随着制程持续推进至5纳米或3纳米后,EUV光罩层会明显增加2~3倍以上,对EUV光罩盒需求亦会出现倍数成长。

  另外,占全球半导体产能逾3成的DRAM,也开始逐步导入EUV技术。业者指出,DRAM市场供给过剩且价格跌至变动成本,DRAM厂虽然放缓产能扩充但无法让价格明显止跌,维持获利的唯一方法就是微缩制程来降低单位生产成本。不过,DRAM制程向1z纳米或1α纳米制程推进的难度愈来愈高,随着EUV量产技术获得突破,或可有效降低DRAM成本。

  三星预期在今年11月开始量产采用EUV技术的1z纳米DRAM,量产初期将与三星晶圆代工共享EUV设备,初期使用量虽不大,但却等于宣示DRAM光罩微影技术会朝EUV方向发展。至于SK海力士及美光也已表明开始评估采用EUV技术,业界预期将可能在1α纳米或1β纳米世代开始导入。

  总体来看,在逻辑IC及DRAM的先进制程开始采用EUV技术后,对EUV光罩盒需求在明、后两年都会呈现倍数成长。


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