四千亿元扩增内存工厂？美光：没打算扩增内存产能

　　日前有报道称，美光将在中科园区投资4000亿新台币(约合900多亿人民币)建设A3、A5两座晶圆厂，预计今年Q4季度开始生产最先进的1Znm工艺DRAM内存芯片，规划的产能高达6万片晶圆/月。

　　在当前内存价格连跌了三个季度、市场供需面临不确定时，美光此时大举增加投资扩产内存产能，此举被业内人士视为内存价格进一步下滑的开始。

　　不过美光方面回应称，A3工厂预计明年Q4季度完工，主要是扩建了无尘室，A5工厂目前还在寻找地点，尚无具体规划，投资金额也不便透露。

　　美光强调，目前在全球的产能布局原则仅仅是提升制程工艺，重点是提升存储产品的容量，但不会增加晶圆投片数量，换句话说就是美光增加内存投资也只是为了提升产品的容量，提高自家产品的竞争力，但是晶圆产能并不会增加，市场上的供需情况不会因为这些投资而变。

　　在扩建内存产能之前，美光前几天还扩建了位于新加坡的Fab 10A闪存工厂，新盖了无尘室等生产设施，提高了Fab 10晶圆厂的生产灵活性，但美光同样强调并不打算增产NAND，通过资本开支调整、技术转换等方式，Fab 10厂区的总产能不变。

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