晶圆代工大厂积极投入GaN制程开发

近来，晶圆代工厂积极布局第三代半导体材料氮化镓 (GaN)，除龙头厂台积电已提供 6 吋 GaN-on-Si(硅基氮化镓) 晶圆代工服务外，世界先进 GaN 制程也预计年底送样，联电同样积极投入 GaN 制程开发，携手子公司联颖布局高效能电源功率组件市场。

联电表示，GaN 制程开发是现有研发计划中的重点项目之一，目前与转投资公司砷化镓 (GaAs) 晶圆代工厂联颖合作，仍处于研发阶段，初期将以 6 吋晶圆代工服务为目标，未来也会考虑迈向 8 吋代工。

联颖是联电持股 81.58% 子公司，为其新投资事业群的一员，提供 6 吋砷化镓晶圆代工服务，终端产品应用领域包括手机无线通信、微波无线大型基地站、无线微型基地台、物联网、国防航天、光纤通讯、光学雷达，及 3D 感测组件等。目前营运持续亏损，去年亏损 2.79 亿元，今年首季则亏损 861 万元。

目前包括台积电、汉磊投控集团的晶圆代工厂汉磊科，6 吋 GaN-on-Si 晶圆代工制程均已量产；台积电今年 2 月也宣布结盟意法半导体，意法将采用台积电的 GaN 制程技术，生产氮化镓产品，加速先进功率氮化镓解决方案开发与上市，携手抢攻电动车市场商机。

世界先进在 GaN 材料上已投资研发 4 年多，与设备材料厂 Kyma、及转投资 GaN 硅基板厂 Qromis 携手合作，着眼开发可做到 8 吋的新基底高功率氮化镓技术 GaN-on-QST，今年底前将送样客户做产品验证，初期主要瞄准电源相关应用。