Nexperia宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术

2020 年 6 月 8 日：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装，TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能，并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数，Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制，应用设计大为简化；使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。

新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔，减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约24%。TO-247 封装的新器件，导通电阻RDS(on)降低到仅 41mΩ（最大值，25℃的典型值为 35mΩ），同时具有高的栅级阀值电压和低反向导通电压。CCPAK封装的新器件，将导通电阻值进一步降低到39mΩ（最大值，25℃的典型值为 33mΩ）。两种封装的新器件均符合 AEC-Q101 标准，可满足汽车应用的要求。

Nexperia氮化镓战略营销总监 Dilder Chowdhury表示：“客户需要导通电阻RDS(on)为30~40m?的650V新器件，以便实现经济高效的高功率转换。相关的应用包括电动汽车的车载充电器、高压DC-DC直流转换器和发动机牵引逆变器;以及1.5~5kW钛金级的工业电源，比如:机架装配的电信设备、5G设备和数据中心相关设备。Nexperia持续投资氮化镓开发，并采用新技术扩充产品组合。首先为功率模块制造商提供了传统的 TO-247封装器件和裸芯片，并随后提供我们高性能的CCPAK 贴片封装的器件。”

Nexperia 的 CCPAK贴片封装采用了创新的铜夹片封装技术来代替内部的封装引线。这样可以减少寄生损耗，优化电气和热性能，并提高可靠性。CCPAK封装的氮化镓器件提供顶部或底部散热两种配置，使其更通用，并有助于进一步改善散热。

650V TO-247封装的GAN041-650WSB 和 CCPAK 封装的 GAN039-650NBB目前均可提供样品。