长鑫存储今年年底产能有望超越南亚科技
据媒体Digitimes今日报道,长鑫存储今年年底产能可达12万片,预计将超越南亚科技,届时市占率将仅次于三大巨头。此外,长鑫 17nm工艺即将出世,明年可实现大规模量产。
报道称,长鑫存储 19nm DRAM 工艺已于 2020 年上半逐步量产并顺利上市,目前产能从 2 万片已逐步扩充至 4 万片,而 17nm 技术进度符合预期,2021 年可实现量产。
业界传出,长鑫存储在年底产能约达 12 万片,将追上南亚科(不超过 7 万片),各家存储模组厂为了进军中国市场,已陆续展开测试试验。
南亚科技股份有限公司成立于 1995 年,致力于 DRAM 研发、设计、制造与销售。据 TrendForce 研究部门 DRAMeXchange 公布的全球 DRAM 厂商营收排名,南亚科技去年第四季度所占市场份额为 2.8%(三大厂商同期共计 95%),排名第四。
长鑫存储表示,相关产力扩产正按步就班地进行,预计 2021 年可转向 17nm DRAM 量产。
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