长鑫存储今年年底产能有望超越南亚科技

长鑫存储今年年底产能有望超越南亚科技

据媒体Digitimes今日报道，长鑫存储今年年底产能可达12万片，预计将超越南亚科技，届时市占率将仅次于三大巨头。此外，长鑫 17nm工艺即将出世，明年可实现大规模量产。

报道称，长鑫存储 19nm DRAM 工艺已于 2020 年上半逐步量产并顺利上市，目前产能从 2 万片已逐步扩充至 4 万片，而 17nm 技术进度符合预期，2021 年可实现量产。

业界传出，长鑫存储在年底产能约达 12 万片，将追上南亚科（不超过 7 万片），各家存储模组厂为了进军中国市场，已陆续展开测试试验。

南亚科技股份有限公司成立于 1995 年，致力于 DRAM 研发、设计、制造与销售。据 TrendForce 研究部门 DRAMeXchange 公布的全球 DRAM 厂商营收排名，南亚科技去年第四季度所占市场份额为 2.8%（三大厂商同期共计 95%），排名第四。

长鑫存储表示，相关产力扩产正按步就班地进行，预计 2021 年可转向 17nm DRAM 量产。