全球最大氮化镓工厂设备正式搬入 年底进入试生产
9月20日消息，英诺赛科（苏州）半导体有限公司（以下简称“英诺赛科”）举行了设备搬入仪式，标志世界首条采用IDM模式8英寸第三代化合物半导体硅基氮化镓大规模量产线从建设阶段正式进入试生产阶段。 位于汾湖高新区的英诺赛科是一家集研发、设计、外延生长、芯片制造、芯片测试为一体的第三代半导体企业。本次搬入的是国际领先的全自动系统，其行星式反应器平台为目前全球最先进的五片 8英寸硅基氮化镓生产专业设备，具有极其稳定的工艺流程、高效的实时清洁系统以及对提高良率至关重要的卡匣式装卸装置。 英诺赛科总经理孙在亨在致辞中表示，仪式举行标志着吴江工厂已经建设完成，是产能爬升的开始，也是市场开拓的起点，预计年底进入试生产阶段，计划未来两到三年内满产后实现月产65000片8英寸硅基氮化镓。 氮化镓作为第三代半导体材料的代表性材料，在新能源汽车、激光雷达、快充等细分行业有着广泛的应用。作为省级重点产业项目和长三角生态绿色一体化发展示范区首批亮点项目，英诺赛科一期投资超60亿元，建成后年产值预计可突破100亿元，可创造就业岗位超过2000个，并有望在5年内形成百亿级规模的第三代半导体材料器件产业基地。未来，将借助长三角的半导体产业基础，与区域内更多企业开展合作，在汾湖形成第三代半导体的产业集群。
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