Nexperia计划在2021和2022年投资7亿美元提高产能

基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布了全球增长战略最新举措，即在未来12个月至15个月期间投资7亿美元用于扩建欧洲的晶圆厂、亚洲的封装和测试工厂和全球的研发基地。

新投资将提高所有工厂的制造能力、支持氮化镓(GaN)宽带隙半导体和电源管理IC等领域的研发，并将支持举办招聘活动，吸引更多芯片设计师和工程师人才。

Nexperia首席运营官Achim Kempe表示：“全球半导体市场正逐渐走出去年上半年以来的颓势，并重新崛起。2020年，Nexperia年销售额为14亿美元，销量从去年第三季度和第四季度起增长迅速，并且从今年初到现在依然保持增长态势。我们预计此增长态势会保持相当长的一段时期。7亿美元投资将在这一波增长期间确保我们为继续批量交付产品提供所需的技术和制造能力，以满足未来的需求。”

【图为Nexperia首席运营官Achim Kempe】

这笔投资将用于把德国汉堡工厂的产能从目前每月生产超过35,000片8英寸晶圆（每年700亿件半导体）在2022年年中之前增加20%，同时也把英国曼彻斯特的专用TrenchMOS制造工厂产能从目前的每月24,000片8英寸晶圆在2022年年中之前增加10%。

Nexperia研发活动也将大幅增加，所有研发基地都将扩建建立新的实验室和其他设施，且包括Nexperia位于奈梅亨的总部，以及模拟和逻辑业务部门所在地。Nexperia还将举办更多的招聘活动，以填补全球200多个、涉及各种技术的职位空缺。

新的投资举措与Nexperia实现全球增长、扩大行业影响和市场份额的战略相一致。“早在疫情开始之前，Nexperia就制定了强大的全球增长战略，”Nexperia MOSFET和GaN FET业务总经理Toni Versluijs说，“这些努力现在得到了回报。例如，曼彻斯特新的8英寸生产线即将发布第一款功率MOSFET。我们对功率半导体行业长期的增长前景充满信心。随着经济的不断复苏，我们将持续加大在欧洲各地的工厂和研发设施、在包括产品、制程和人员等各方面的投资。”

【图为Nexperia MOSFET和GaN FET业务总经理Toni Versluijs】