合作建设6英寸SiC器件生产线 英唐智控与HuLu公司签订协议

       日前，英唐智控发布公告称，与Hulu MT.PEAK LLC（Hulu半导体综合投资公司，下称“HuLu”）签订为期三年的合作协议，希望在中国境内合作建设6英寸SiC器件生产线，并利用各自资源面向全球推广合作产线的产品。

　　根据公告，双方合作方案由Hulu提供产线建设、产品需求及工艺方面的支持，英唐智控提供资金、市场、技术以及项目人才方面的支持。协议还明确提出了英唐智控对HuLu进行战略投资的可能性，英唐智控将依托前期在模拟及功率器件的研发、制造产业布局，通过与Hulu的紧密合作，加速其在第三代半导体领域的产能规划实现。

　　据了解，SiC（碳化硅）是第三代半导体材料，拥有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子迁移率以及抗辐射等特性，更适合在高频、高温、高压、高功率以及耐辐射的环境中工作。在功率等级相同的条件下，SiC器件体积更小，功率密度更高、设计更紧凑，能使电动车续航里程更长。受益于SiC功率器件在技术方面的逐渐成熟，智能化、电气化趋势持续演进，下游传统汽车升级带来庞大的功率半导体需求，SiC功率器件替代空间较为广阔。

　　据行业人士分析，英唐与Hulu的合作达成，正是英唐智控为加速其第三代半导体产能布局做出的又一举措。通过引进Hulu在产线建设、设备、工艺技术方面的优质资源，英唐智控有望进一步增厚其在人才、工艺及技术方面的储备，有望促进打造自主可控的第三代半导体全产业链条。