达摩院突破冯·诺依曼架构性能瓶颈，新型AI芯片性能提升10倍

达摩院突破冯·诺依曼架构性能瓶颈，新型AI芯片性能提升10倍

       12月3日消息，达摩院成功研发新型架构芯片。该芯片是全球首款基于DRAM的3D键合堆叠存算一体AI芯片，可突破冯·诺依曼架构的性能瓶颈，满足人工智能等场景对高带宽、高容量内存和极致算力的需求。在特定AI场景中，该芯片性能提升10倍以上，能效比提升高达300倍。

　　达摩院研发的存算一体芯片集成了多个创新型技术，是全球首款使用混合键合3D堆叠技术实现存算一体的芯片。该芯片内存单元采用异质集成嵌入式DRAM(SeDRAM)，拥有超大带宽、超大容量等特点;计算单元方面，达摩院研发设计了流式的定制化加速器架构，对推荐系统进行“端到端”的加速，包括匹配、粗排序、神经网络计算、细排序等任务。

　　得益于整体架构的创新，该芯片同时实现了高性能和低系统功耗。在实际推荐系统应用中，相比传统CPU计算系统，存算一体芯片的性能提升10倍以上，能效提升超过300倍。该技术的研究成果已被芯片领域顶级会议ISSCC 2022收录，未来可应用于VR/AR、无人驾驶、天文数据计算、遥感影像数据分析等场景。