又一家晶圆龙头展开攻势 第三代半导体成产业链“必争之地”

来源:财联社 作者: 时间:2021-12-30 11:36

联电 晶圆 第三代半导体 SiC

12月29日,据报道,联电已通过投资联颖,切入第三代半导体领域。联电计划从6寸氮化镓(GaN)产品入手,之后将展开布局碳化硅(SiC),并向8寸晶圆发展。公司透露,第三代半导体制程将从CMOS转换而来,未来将伺机扩产。

联电表示,由于目前业内较少厂商能够提供GaN整体解决方案,正在构建技术平台,由联电、联颖共同研发,聚焦电子、射频微波等应用,预计明年将导入IC设计客户。

另外,联电更与比利时微电子研究中心(IMEC)携手,开展第三代半导体研发。后者是全球知名独立公共研发平台、半导体业内指标性研发机构,英特尔、三星、台积电、高通等均与其有合作。

值得一提的是,联颖有望成为联电第三代半导体的主要生产阵地。联颖此前主营业务便是6寸晶圆,但长时间处于亏损状态,产能利用率也处于较低水平。但去年下半年以来,业绩好转,产能持续满载,明年产能有望较今年翻倍增长。

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能源技术革命向材料领域渗透 第三代半导体打开增长空间

除联电之外,产业链其余厂商也没有错过第三代半导体这一契机。

龙头台积电在GaN投入多年,目前已小批量提供6寸晶圆代工服务。同时,公司针对车用领域,与意法半导体合作开发GaN制程,而Navitas(GaN消费市场龙头)、GaN Systems等厂商也已在台积电投片,生产高压功率半导体器件。

世界先进已展开8寸GaN on Si研发,已有超过10家客户进行产品设计,台湾电子时报指出,该技术可靠性与良率已接近量产阶段。

就在上周,硅晶圆厂商环球晶宣布,明年将大幅扩产第三代半导体,GaN及SiC产能均将翻倍增长。

各路厂商争相布局的背后,是新能源汽车、5G等新兴产业崛起和“双碳”目标带来的广阔增量空间。

SiC方面,其背后主要驱动力与新能源汽车紧密相连。据三安光电副总经理陈东坡预计,在2023-2024年,长续航里程的车型基本上80-90%、甚至100%都将导入SiC器件。同时,高压快充平台则是另一个需求增长点,目前车企打造800V高压平台都是从IGBT入手,以SiC器件取代硅基IGBT。

GaN则主要用于5G射频器件、功率器件等,市场空间同样备受青睐。

总体来说,目前第三代半导体仍处于发展初期,分析师认为国内企业与国际巨头差距相对较小,对后来者也较为有利。

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