南京宽能半导体获2亿元天使轮融资，和利资本领投

投资界6月8日消息，近日，第三代半导体企业南京宽能半导体有限公司（简称“宽能半导体”或“公司”）宣布完成超2亿元天使轮融资。本轮融资由和利资本领投，渶策资本、云启资本、国中创投资本、毅达资本、金浦投资、亚昌投资、君盛投资、富华投资共同参与投资。

根据 Yole 预测，到 2025 年新能源汽车将是碳化硅功率器件最主要的应用。随着新能源汽车销量的快速提升，碳化硅功率器件在电机驱动、OBC、DC/DC等部件中的应用还将为其打开更加广阔的市场。全球电动汽车领导者特斯拉已在Model3上使用碳化硅MOSFET作为其马达逆变器解决方案，以取代传统硅基IGBT。预计未来新能源汽车上碳化硅MOSFET的需求量将远超于碳化硅二极管，无法生产高良率碳化硅MOSFET的器件厂将失去市场。而器件制造作为碳化硅产业链的重要环节，对产品的良率和性能起到决定性作用。

宽能半导体成立于2021 年 11 月，公司核心团队包括多名国际一流的碳化硅半导体工艺和制造专家，掌握碳化硅器件全工艺流程核心技术，并具备20年以上相关产品量产经验。公司首条产线落地南京，正在建设中，建成后将是国内最大的碳化硅半导体晶圆厂。

宽能半导体深耕功率半导体器件代工领域，为国内外半导体设计公司和IDM厂商提供高良率、高品质且具竞争力的产品。公司的自有标准工艺平台可协助客户迅速导入量产，促进工艺技术迭代。同时公司支持新产品开发，提供客制化工艺服务。公司同时具备沟槽型MOSFET工艺。由于目前全球可量产的碳化硅沟槽结构高度稀缺，仅有ROHM的双沟槽结构、英飞凌的半包沟槽结构、日本住友的接地双掩埋结构，器件结构的技术壁垒将为公司产品带来成本和性能上的优势。