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铠侠研发出170层NAND型闪存技术
2月21日消息，日本半导体制造商铠侠（Kioxia，原东芝存储器）研发出了约170层存储单元堆叠的NAND型闪存技术，达到世界最先进水平。读写速度是现有112层产品的两倍以上。在5G不断普及的背景下，铠侠认为高速、大容量的数据交换将增加，计划开
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揭秘闪存技术新进展，东芝存储器CTO将亲临CFMS2019发表演说！
2019上半年NANDFlash和DRAM芯片价格跌跌不休，下半年虽然行情逆转，但依然被需求疲软、高库存、减产不断、贸易冲突等不安的氛围充斥着整个产业，同时也给企业带来了巨大的挑战。中国作为重要的应用市场，也是东芝存储器重要的战略布局对象。为进
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NAND闪存穷途末路 下一代闪存技术百花齐放
由于闪存技术的发展，闪存正从U盘、MP3走向电脑、存储阵列等更广泛的领域。虽然其速度较以往的机械硬盘有了较大幅度的提升，但纵观整个计算架构，闪存仍旧是计算系统中比较慢的部分。况且目前主流的MLC和TLC在写入寿命上都还不尽如人意，并且随着工艺水
2014-12-23 09:38