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Fairchild，现在是安森美半导体的一部分，今天推出了其SuperFETIII系列，用于650VN沟道MOSFET，这是该公司新一代的MOSFET，可满足最新的通信、服务器、电动车(EV)充电器和太阳能产品的更高功率密度、系统效率和优越的可
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2016年8月25日-安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，今日美国时间宣布美国联邦贸易委员会(英文简称“FTC”)已接受建议征求公众意见的同意令，并已终止适用于安森美半导体建议收购FairchildSem
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高性能半导体解决方案全球领先供应商Fairchild今天宣布旗下FUSB302USBType-C系列控制器是业内第一个兼容最新USBType-C标准的控制器，包括功率输出(PD)规格。制造商使用FUSB302可轻松支持其产品的所有当前和以往US
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高性能半导体解决方案全球领先供应商Fairchild今天发布了FDMQ8205，这增强了其业界领先的GreenBridge4颗MOSFET有源桥技术。FDMQ8205是其GreenBridge新一代产品系列中第一款产品，适合于通过POE供电的应
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全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild,今天发布了新产品，即适用于混合动力电动汽车(HEV)、充电式混合动力电动汽车(PHEV)和电动汽车(EV)应用的新型分立式IGBT和二极管和裸片，从而扩展了其不断增加的汽车级半导体解决
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全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild(NASDAQ:FCS)在2016年APEC上发布了新一代100VN沟道PowerMOSFET旗舰产品——FDMS86181100V屏蔽栅极PowerTrench?MOSFET。FDMS
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Fairchild近日宣布其650V沟槽型场截止IGBT应用于古瑞瓦特新能源公司最新一代光伏逆变器中，该公司是家用和商用逆变器的顶级制造商。由于使用了Fairchild的IGBT，古瑞瓦特将其新型5K-HF逆变器的功率密度与以前型号相比提高了2